岳红维
- 作品数：11 被引量：16H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第五十四研究所更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项教育部重点实验室开放基金河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 一种测试向量生成方法
- 本发明提供了一种测试向量生成方法，属于电路测试技术领域。本发明基于电路仿真数据和测试仪器硬件，采用对数据逐周期提取再合并的方式生成测试向量。该方法主要由待测电路仿真、确定向量周期、逐点提取数据、合并向量数据和生成时序文件...
- 刘鹏张晓峰赵月明季晓燕孙宇凯岳红维王君从田爱国戴强崔海龙沈贵元胡美玲
- 文献传递
- 阻挡层CMP中铜损失的问题被引量：3
- 2013年
- 通过对阻挡层CMP后布线片各个单元的电学参数的检测,研究了阻挡层CMP后产生的铜损失问题。通过探索规律性实验研究了螯合剂和表面活性剂对铜和钽的去除速率的影响规律,得到铜的去除速率与阻挡层材料(Ta)去除速率随螯合剂与表面活性剂含量变化的规律,铜的去除速率以及铜与阻挡层材料去除速率比都达到要求。抛光液中的螯合剂能够快速与金属离子反应生成螯合物,从而达到去除铜膜和阻挡层的目的。将符合要求的抛光液运用到铜布线片上进行阻挡层CMP,得到良好的效果,铜损失得到了有效控制。在铜布线片上测得的铜线条电阻和漏电流数值可以很直观地反映出抛光液对器件性能的影响,所以主要以测得的铜线条电阻和漏电流作为参考标准进行研究。
- 王伟超王胜利刘玉岭王辰伟岳红维高娇娇马锁辉
- 关键词：阻挡层电阻漏电流
- 一种核壳结构复合粉前驱体及LTCC基板的制备方法
- 本发明公开了一种核壳结构复合粉前驱体及LTCC基板的制备方法，属于LTCC技术领域。本发明方法借助核壳结构的设计思路，通过简单的溶胶凝胶方法制备出核壳结构的陶瓷‑玻璃复合粉体，通过简单的混合过程和流延成型工艺，制备出陶瓷...
- 王君从岳红维吕旭涛陈丹熠刁手政冯航孙宇凯张宏科赵晓龙王志浩王志伟田爱国刘子奕贾坤赵伟杰陈谦刘鹏
- 文献传递
- 低压下碱性铜抛光液对300mm多层铜布线平坦化的研究被引量：7
- 2012年
- 随着微电子技术进一步发展,低k介质的引入使得铜的化学机械平坦化(CMP)须在低压下进行。提出了一种新型碱性铜抛光液,其不含常用的腐蚀抑制剂,并研究了其在低压下抛光及平坦化性能。静态条件下,铜的腐蚀速率较低仅为2nm/min。在低压10.34kPa时,铜的平均去除速率可达633.3nm/min,片内非均匀性(WIWNU)为2.44%。平坦化效率较高,8层铜布线平坦化结果表明,60s即可消去约794.6nm的高低差,且抛光后表面粗糙度低(0.178nm),表面状态好,结果表明此抛光液可用于多层铜布线的平坦化。
- 郑伟艳刘玉岭王辰伟串利伟魏文浩岳红维曹冠龙
- 关键词：低压碱性速率
- 一种PCB板极端环境测试用多工位测试工装
- 本实用新型公开的属于PCB板测试装置技术领域，具体为一种PCB板极端环境测试用多工位测试工装，包括测试台和安装架，所述测试台顶壁设置有开设有安装槽，所述测试台内侧壁设置有用于提高温度的电热板，所述测试台内壁顶部设置有固定...
- 王君从杨婷岳红维
- 碱性抛光液中H_2O_2对铜布线CMP的影响被引量：3
- 2012年
- 化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作用:H2O2对铜的强氧化性可以将铜氧化为离子状态,然后在螯合剂的螯合作用下快速去除铜膜;H2O2对铜的钝化作用可以保护凹处铜膜不被快速去除,从而有效降低高低差。此外,还研究了碱性抛光液中不同H2O2浓度对铜的静态腐蚀速率、动态去除速率及铜布线平坦化结果的影响。研究表明:抛光液对铜的静态腐蚀速率随H2O2浓度的增大逐渐降低然后趋于饱和;铜的动态去除速率随H2O2浓度的增大而逐渐降低;抛光液的平坦化能力随H2O2浓度的增大逐渐增强再趋于稳定。
- 岳红维王胜利刘玉岭王辰伟尹康达郑伟艳串利伟
- 关键词：铜布线碱性抛光液H2O2
- 铜CMP中温度与质量传递对速率均匀性的影响被引量：2
- 2012年
- 随着集成电路布线层数的增加以及特征尺寸的减小,对材料表面平整度的要求越来越高,如何保证化学机械平坦化(CMP)过程中的速率均匀性是实现高平整的关键。温度和质量传递是影响化学反应速率的主要因素,CMP过程中晶圆表面的温度分布和反应物及产物的质量传递不均匀,会导致去除速率分布不均匀。通过分析抛光速率分布随环境温度的变化规律,来研究晶圆表面温度与质量传递之间的关系,给出了调整CMP均匀性的方法。研究结果表明,环境温度为24℃,工作压力为103 mdaN/cm2(1 kPa=10 mdaN/cm2),背压为93 mdaN/cm2时,片内非均匀性为3.28%,抛光速率为709.8 nm/min,满足工业应用要求。
- 尹康达王胜利刘玉岭王辰伟岳红维郑伟艳
- 关键词：温度均匀性
- 一种测试向量生成方法
- 本发明提供了一种测试向量生成方法，属于电路测试技术领域。本发明基于电路仿真数据和测试仪器硬件，采用对数据逐周期提取再合并的方式生成测试向量。该方法主要由待测电路仿真、确定向量周期、逐点提取数据、合并向量数据和生成时序文件...
- 刘鹏张晓峰赵月明季晓燕孙宇凯岳红维王君从田爱国戴强崔海龙沈贵元胡美玲
- 文献传递
- 一种基于ATE的射频识别芯片的电特性测试方法
- 本发明属于集成电路测试领域，目的是针对射频识别芯片提供一种基于ATE的电特性测试方法。具体发明内容包括反向链路频率自动调整算法、初始化数据格式自动转换算法、ID号自动编排灌注算法、加密数据格式自动转换算法和射频功能验证用...
- 刘鹏崔臣臣孙宇凯王尧王志浩王君从岳红维马迅王康胡美玲刘长龙崔海龙陈丹熠田爱国
- FA/O精抛液组分对Cu/Ta CMP去除速率的影响被引量：2
- 2015年
- 研究了精抛液中各组分对Cu/Ta去除速率的影响。在分别考察磨料质量分数、Ⅱ型螯合剂、活性剂和双氧水等各组分对Cu/Ta去除速率的影响后,研发了磨料质量分数为2%,Ⅱ型螯合剂体积分数为0.35%,活性剂体积分数为2%,H2O2体积分数为2%的FA/O精抛液。并在MIT854布线片上进行了精抛测试。结果显示,精抛12 s之后,100-100线条处高低差从精抛前的76.7 nm降低为63.2 nm,而50-50线条处高低差从精抛前的61.3 nm降低为59.8 nm。并且,经过FA/O精抛液精抛后粗抛后产生的尖峰也有所减小,台阶趋于平坦。精抛后,100-100和50-50处的高低差均小于70 nm,能够达到产业化指标。
- 胡轶何彦刚岳红维刘玉岭
- 关键词：化学机械平坦化去除速率
