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胡安琪

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京理工大学光电学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇稳定性
  • 1篇晶体管
  • 1篇薄膜晶体
  • 1篇薄膜晶体管

机构

  • 1篇北京理工大学

作者

  • 1篇喻志农
  • 1篇张世玉
  • 1篇胡安琪

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
二次大气退火对于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学特性的影响
2015年
介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器件表现出了最佳的电学性能,相比其他器件有较小的亚阈值摆幅（~1.43V/decade）和更好的磁滞稳定性。通过对比其他退火条件下的器件表现与工艺,发现在一次退火基础上增加的较短时间（30min）退火是这些显著提高的主要原因。这说明,在a-IGZO TFT进行了一次退火并冷却后,通过引入二次退火使得a-IGZO薄膜表面平整化和结构密实化,器件性能仍然有提高的空间。
胡安琪喻志农张潇龙张世玉
关键词：薄膜晶体管
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