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柔性PI衬底上ITO薄膜的制备及性能研究被引量：3: 2014年; 利用射频磁控溅射的方法在柔性PI衬底上制备ITO薄膜,通过SEM（扫描电子显微镜）、XRD（X射线衍射仪）、四探针测试仪、分光光度计,分析了通氧量、溅射功率、工作气压及衬底温度对ITO薄膜表面形貌、成膜质量和光电特性的影响。结果显示：在纯氩气环境下,溅射功率为200W,工作气压为1.5Pa,在衬底温度为185℃～225℃时,薄膜的光电特性最好,ITO薄膜的电阻率为3.64×10^-4Ω·cm,透过率为97%。; 扈静喻志农张世玉薛建设惠官宝薛唯; 关键词：射频磁控溅射氧化铟锡电阻率透过率

一种透明导电薄膜: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZOTFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)和...; 喻志农李旭远张世玉蒋玉蓉薛唯; 文献传递

阿基米德螺旋线推扫滤光差分气体泄漏红外成像方法: 本发明公开了一种阿基米德螺旋线推扫滤光差分气体泄漏红外成像方法，适用于红外焦平面探测器，包括如下具体步骤：1,设计包括背景滤光片、泄漏气体滤光片以及两片挡光片的阿基米德螺旋线滤光盘；滤光片和挡光片交替布设；2,利用该滤光...; 王岭雪薛唯蔡毅罗秀丽唐璟张世玉高岳张小水王书潜; 文献传递

二次大气退火对于非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管电学特性的影响: 2015年; 介绍了非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管（a-IGZO TFT）的制备,并在不同环境下进行了退火。其中,经过一次退火冷却后再进行第二次退火的器件表现出了最佳的电学性能,相比其他器件有较小的亚阈值摆幅（~1.43V/decade）和更好的磁滞稳定性。通过对比其他退火条件下的器件表现与工艺,发现在一次退火基础上增加的较短时间（30min）退火是这些显著提高的主要原因。这说明,在a-IGZO TFT进行了一次退火并冷却后,通过引入二次退火使得a-IGZO薄膜表面平整化和结构密实化,器件性能仍然有提高的空间。; 胡安琪喻志农张潇龙张世玉; 关键词：薄膜晶体管

IGZO薄膜溅射功率对IGZOTFT栅电压不稳定性的影响被引量：1: 2014年; 采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO薄膜形貌及电特性的影响,研究了不同IGZO溅射功率对IGZO-TFT栅偏压不稳定性的影响。结果表明,在一定范围内,低溅射功率使得IGZO薄膜的表面粗糙,缺陷较多,载流子浓度较低;在正栅极偏压作用下,低IGZO薄膜溅射功率导致较大的IGZO-TFT阈值电压漂移;在负偏压作用下不产生阈值电压漂移。; 柳逢春喻志农杨伟声郑红川张世玉; 关键词：薄膜晶体管 IGZO 溅射功率

阿基米德螺旋线推扫滤光差分气体泄漏红外成像方法: 本发明公开了一种阿基米德螺旋线推扫滤光差分气体泄漏红外成像方法，适用于红外焦平面探测器，包括如下具体步骤：1,设计包括背景滤光片、泄漏气体滤光片以及两片挡光片的阿基米德螺旋线滤光盘；滤光片和挡光片交替布设；2,利用该滤光...; 王岭雪薛唯蔡毅罗秀丽唐璟张世玉高岳张小水王书潜; 文献传递

退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响被引量：1: 2016年; 采用溶液法在玻璃衬底上制备InGaZnO薄膜,并以InGaZnO为沟道层制备底栅顶接触型薄膜晶体管,研究了退火温度和Ga含量对InGaZnO薄膜和晶体管电学性能的影响.研究表明,退火可以明显改善溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管的电学性能.退火温度的升高会导致薄膜晶体管阈值电压的负向漂移,并且饱和迁移率和电流开关比增大.X射线光电子能谱测量表明,随退火温度的增加,InGaZnO薄膜表面吸附氧减少,沟道层中氧空位增多导致电子浓度增大.退火温度为380?C时,晶体管获得最佳性能.饱和迁移率随Ga含量的增加而减小.In:Ga:Zn摩尔比为5:1.3:2时,晶体管达到最佳性能:饱和迁移率为0.43 cm^2/(V·s),阈值电压为1.22 V,开关电流比为4.7×10~4,亚阈值摆幅为0.78 V/decade.; 张世玉喻志农程锦吴德龙栗旭阳薛唯; 关键词：INGAZNO 薄膜晶体管溶液法热退火

一种透明导电薄膜: 本发明基于薄膜光学中诱导透射滤光片的原理，提出一种氧化物-金属-氧化物三明治结构的透明导电薄膜用于铟镓锌氧化物薄膜晶体管(IGZO？TFT)电极(包括源极、漏极和栅极)。透明导电薄膜的氧化物层采用铟镓锌氧化物(IGZO)...; 喻志农李旭远张世玉蒋玉蓉薛唯; 文献传递

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张世玉