您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇三氯乙烯
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇氢氟酸
  • 1篇SIO
  • 1篇SIO2
  • 1篇

机构

  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 1篇叶嗣荣
  • 1篇黄绍春
  • 1篇江永清
  • 1篇赵珊
  • 1篇刘晓芹
  • 1篇郭林红

传媒

  • 1篇桂林电子科技...

年份

  • 1篇2006
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
干氧SiO_2的氢氟酸缓冲腐蚀研究被引量:5
2006年
根据对掺三氯乙烯(TCE)干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液(BHF)中的腐蚀特性的研究结果表明,在HF wt%保持不变的条件下,腐蚀速率先随着NH4F wt%的增大而上升;NH4F大于15 wt%~20wt%以后,腐蚀速率反而随之降低。值得注意的是,干氧SiO2同湿氧SiO2相比,在1wt%HF条件下,前者的腐蚀速率要比后者高,直到HF酸浓度大于3wt%时,前者的腐蚀速率才低于后者,这一现象可用NH^4+阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释。
黄绍春江永清叶嗣荣郭林红刘晓芹赵珊
关键词:湿法腐蚀三氯乙烯
共1页<1>
聚类工具0