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刘晓芹
作品数:
1
被引量:5
H指数:1
供职机构:
重庆光电技术研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
郭林红
重庆光电技术研究所
赵珊
重庆光电技术研究所
江永清
重庆光电技术研究所
黄绍春
重庆邮电大学光电工程学院
叶嗣荣
重庆光电技术研究所
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1篇
2006
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干氧SiO_2的氢氟酸缓冲腐蚀研究
被引量:5
2006年
根据对掺三氯乙烯(TCE)干氧氧化的SiO2在不同配比氢氟酸缓冲腐蚀液(BHF)中的腐蚀特性的研究结果表明,在HF wt%保持不变的条件下,腐蚀速率先随着NH4F wt%的增大而上升;NH4F大于15 wt%~20wt%以后,腐蚀速率反而随之降低。值得注意的是,干氧SiO2同湿氧SiO2相比,在1wt%HF条件下,前者的腐蚀速率要比后者高,直到HF酸浓度大于3wt%时,前者的腐蚀速率才低于后者,这一现象可用NH^4+阻挡模型结合TCE在SiO2中引入浅电子陷阱的方式得到解释。
黄绍春
江永清
叶嗣荣
郭林红
刘晓芹
赵珊
关键词:
湿法腐蚀
三氯乙烯
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