徐希嫔
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：贵州大学理学院更多>>
- 发文基金：国家科技部科技人员服务企业行动项目贵州省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 阶梯形IDT结构的仿真研究被引量：2
- 2010年
- 提出一种叉指换能器的新结构,并用δ函数模型对其进行了分析仿真。结果表明,该结构克服了传统设计仿真时需加入反射栅或反射器来模拟叉指换能器内反射的缺点,大大缩减了δ函数模型仿真的繁杂性,通过自身结构的优化来模拟叉指换能器内反射,并运用δ函数对其建模,然后通过Matlab对其仿真。仿真结果表明,应用此结构设计出的叉指换能器主峰曲线较好,旁瓣抑制较大,达到设计要求,其设计效率高,实用性强。
- 徐希嫔王代强刘桥
- 关键词：阶梯形IDT优化设计
- N_2-Ar流量比对直流磁控溅射硅基AlN薄膜的影响被引量：1
- 2010年
- 本文研究了N2-Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜的影响,实验表明在其它参数一定的情况下,N2-Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响,通过实验验证,选择N2-Ar流量比在1.525左右可获得质量较好的AlN薄膜(100取向)。
- 王代强陈雨青杨发顺徐希嫔刘桥
- 关键词：ALN薄膜直流磁控反应溅射
- 磁控溅射硅基AlN薄膜的氮-氩气体流量比研究被引量：3
- 2011年
- 反应磁控溅射制备AlN薄膜时,薄膜的质量与众多实验参数有关。靶基距、溅射功率、工作气体总压及N2气分压等实验参数影响薄膜质量的报道很多,因此,研究N2/Ar流量比对磁控溅射硅基AlN薄膜元素种类与含量的影响很有实用意义。实验表明,在其他参数一定的情况下,N2/Ar流量比对AlN薄膜元素种类与含量有很大影响。通过实验验证,选择N2/Ar流量比约为1.525可获得高质量的AlN薄膜(100取向)。
- 王代强杨发顺徐希嫔陈雨青刘桥
- 关键词：ALN薄膜直流磁控反应溅射
