李凯
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华南师范大学光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：广东省战略性新兴产业专项广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 图形Si衬底上GaN基纳米线的MOCVD无催化生长
- 本文研究了在Si衬底上免催化剂生长GaN基纳米线及其异质核壳结构的方法.将湿法化学刻蚀技术和MOCVD技术结合,利用GaN材料在Si不同晶面的异向外延特性,在不引入催化剂的前提下,合成高晶体质量、大纵横比,且密度、尺寸、...
- 李凯王幸福于磊刁家声张苑文李述体
- 近紫外380nm发光二极管的量子阱结构优化
- 2013年
- 模拟分析了有源区不同垒层对380 nm近紫外发光二极管的内量子效率、电子空穴浓度分布、辐射复合效率等产生的影响。有源区垒层材料分别选用GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,其中3层AlGaN的厚度比分别为6 nm/8 nm/6 nm和7 nm/6 nm/7 nm。对比分析发现,与GaN垒层相比,选用AlGaN系列垒层可以将更多的载流子限制在有源区内,空穴浓度可以提高近一个数量级,辐射复合效率可以提高2～10倍;3层AlGaN垒层相对于单一AlGaN垒层,载流子分布更加均匀,辐射复合效率可以提高7倍以上,内量子效率可以提高14.5%;采用不同厚度比的3层AlGaN垒层结构可以微调能带的倾斜程度,进一步减小极化效应。可以调节合适的厚度比减小极化效应对于载流子分布及内量子效率的影响。
- 李梅娇李凯朱明军郭志友孙慧卿
- 关键词：多量子阱ALGAN
