您的位置： 专家智库 > >

朱明军

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：华南师范大学更多>>
发文基金：广东省战略性新兴产业专项广州市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 4篇二极管
  • 4篇发光
  • 4篇发光二极管
  • 2篇电极
  • 2篇电流
  • 2篇电流密度
  • 2篇直流
  • 2篇紫外
  • 2篇紫外发光二极...
  • 2篇外延片
  • 2篇结构优化
  • 2篇高压直流
  • 2篇光效
  • 2篇光效率
  • 2篇负电极
  • 2篇出光
  • 2篇出光效率
  • 1篇多量子阱
  • 1篇量子效率
  • 1篇内量子效率

机构

  • 4篇华南师范大学

作者

  • 4篇朱明军
  • 3篇郭志友
  • 3篇孙慧卿
  • 2篇黄鸿勇
  • 2篇王度阳
  • 1篇李梅娇
  • 1篇李凯

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
高压直流发光二极管及其制备方法
本发明公开了高压直流发光二极管及其制备方法，高压直流发光二极管包括多颗LED芯粒，相邻LED芯粒之间通过隔离通道完全隔离，多颗LED芯粒串联连接，每颗LED芯粒的发光面积相等且形状相同，每个芯粒的p型正极与n型负电极尺寸...
郭志友孙慧卿黄鸿勇王度阳朱明军
文献传递
AlGaN/InGaN基近紫外功率型LED量子阱结构优化及内量子效率影响
Ⅲ-Ⅴ族铟镓氮基(LED)发光二极管由于覆盖从绿色到近紫外线(NUV)的宽发射光谱已被应用于许多商业产品，最近，近紫外发光二极管(NUV)在应用方面发挥着重要的作用，目前，由于近紫外发光二极管(NUV)具有相对良好的显色...
朱明军
关键词：内量子效率
高压直流发光二极管及其制备方法
本发明公开了高压直流发光二极管及其制备方法，高压直流发光二极管包括多颗LED芯粒，相邻LED芯粒之间通过隔离通道完全隔离，多颗LED芯粒串联连接，每颗LED芯粒的发光面积相等且形状相同，每个芯粒的p型正极与n型负电极尺寸...
郭志友孙慧卿黄鸿勇王度阳朱明军
近紫外380nm发光二极管的量子阱结构优化
2013年
模拟分析了有源区不同垒层对380 nm近紫外发光二极管的内量子效率、电子空穴浓度分布、辐射复合效率等产生的影响。有源区垒层材料分别选用GaN、Al0.1Ga0.9N、Al0.1Ga0.9N/Al0.15Ga0.85N/Al0.1Ga0.9N,其中3层AlGaN的厚度比分别为6 nm/8 nm/6 nm和7 nm/6 nm/7 nm。对比分析发现,与GaN垒层相比,选用AlGaN系列垒层可以将更多的载流子限制在有源区内,空穴浓度可以提高近一个数量级,辐射复合效率可以提高2～10倍;3层AlGaN垒层相对于单一AlGaN垒层,载流子分布更加均匀,辐射复合效率可以提高7倍以上,内量子效率可以提高14.5%;采用不同厚度比的3层AlGaN垒层结构可以微调能带的倾斜程度,进一步减小极化效应。可以调节合适的厚度比减小极化效应对于载流子分布及内量子效率的影响。
李梅娇李凯朱明军郭志友孙慧卿
关键词：多量子阱ALGAN
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0