李立亚
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 供职机构：重庆大学动力工程学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- SiO_2沟槽晶圆片在快速热处理中的温度分布
- 2013年
- 采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了SiO2沟槽宽度和沟槽排列密度对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在SiO2沟槽宽度相同的情况下,沟槽排列密度越大,晶圆片总的温度水平越高,但对温度均匀性几乎没有影响.这是由于沟槽排列密度增大使得晶圆片表面中SiO2所占份额增加,晶圆片表面总的吸收系数增大,吸收的入射辐射能增多,从而使温度水平提高.在SiO2沟槽排列密度相同的条件下,沟槽宽度的变化对于晶圆片总的温度水平和温度均匀性几乎没有影响.
- 王爱华李立亚
- 关键词：辐射传热温度分布
- 掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布被引量：3
- 2014年
- 为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=40,50,60μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG/lP=0.05,0.10,0.25)变化对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在相同掺杂硅硅栅宽度条件下,随着硅栅排列密度的增加,晶圆片总的温度水平下降,晶圆片表面温度温差变小,温度均匀性提高;在相同硅栅排列密度条件下,随着硅栅宽度的增加,晶圆片温度水平不断提高,而晶圆片表面温度温差几乎没有变化.这是因为晶圆片表面图案结构变化改变了表面吸收特性,调整了对入射辐射能量的吸收和分配,影响了晶圆片温度水平和温度均匀性.
- 王爱华牛义红刘宇陈铁军李立亚
- 关键词：热辐射温度分布
