陈铁军
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：东北大学材料与冶金学院更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 掺杂硅硅栅晶圆片快速热处理工艺中的温度分布被引量：3
- 2014年
- 为了提高晶圆片温度分布的均匀性、改善加热元件性能,采用传导与辐射耦合传热模型,对快速热处理工艺中晶圆片内传热过程进行了数值模拟,研究了3种掺杂硅硅栅宽度(lG=40,50,60μm)条件下,硅栅宽度与图案周期之比(lG/lP=0.05,0.10,0.25)变化对晶圆片温度分布的影响.结果表明:在相同掺杂硅硅栅宽度条件下,随着硅栅排列密度的增加,晶圆片总的温度水平下降,晶圆片表面温度温差变小,温度均匀性提高;在相同硅栅排列密度条件下,随着硅栅宽度的增加,晶圆片温度水平不断提高,而晶圆片表面温度温差几乎没有变化.这是因为晶圆片表面图案结构变化改变了表面吸收特性,调整了对入射辐射能量的吸收和分配,影响了晶圆片温度水平和温度均匀性.
- 王爱华牛义红刘宇陈铁军李立亚
- 关键词：热辐射温度分布
