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袁正希
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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发文基金:
国家自然科学基金
国防科技技术预先研究基金
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相关领域:
理学
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合作作者
邓宏
电子科技大学微电子与固体电子学...
杨春容
电子科技大学微电子与固体电子学...
薛书文
电子科技大学物理电子学院
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袁正希
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湛江师范学院...
年份
1篇
2006
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ZnO:Al薄膜性质研究
被引量:3
2006年
采用溶胶-凝胶法在硅(100)和玻璃衬底上制备了掺铝氧化锌(ZnO:Al)薄膜.当掺Al3+浓度小于或等于15%时,得到的薄膜均为单一c轴取向.c轴晶格常数随掺Al3+浓度的增加逐渐减小,当掺Al3+浓度增至15%时,薄膜c轴晶格常数值减小约0.56%.薄膜的光学带隙随掺Al3+浓度的增加而增大,掺Al3+20%的薄膜光学带隙达到3.99 eV.O1s结合能随掺Al3+浓度的增加而增大.
杨春容
袁正希
薛书文
邓宏
关键词:
C轴取向
光学带隙
结合能
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