薛书文
- 作品数：29 被引量：96H指数：6
- 供职机构：湛江师范学院物理科学与技术学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程金属学及工艺更多>>
- 脉冲红外热成像无损检测三维理论模型研究被引量：1
- 2005年
- 先通过对边界条件的实验分析,确定了对边界条件绝热处理的可行性,然后通过“模型分割”的办法,将一维理论模型在时刻的温度分布作为三维模型的初始条件,并把之后的温度变化作为三维模型圆柱体的侧面边界条件,给出脉冲红外热成像无损检测三维理论模型的一种近似解法.
- 薛书文洪伟铭
- 关键词：脉冲红外热成像无损检测
- 推力轴承线性与非线性稳定性研究被引量：1
- 2002年
- 以推力轴承为研究对象 ,在建立了瞬态 Reynolds方程的基础上 ,采用油膜压力的 Taylor级数展开式 ,推导出了非线性油膜力的 Taylor级数展开式 ,对基本方程进行了无量纲化 ,并采用超松弛差分法求出了油膜力中的二阶刚度和阻尼系数 ;建立了镜板的非线性微分运动方程 ,以特征值分析了线性与非线性系统的平衡点的性质和稳定性。
- 李忠李自新薛书文
- 关键词：推力轴承非线性油膜力稳定性
- 低掺杂对ZnO:Al薄膜性质的影响
- 利用溶胶凝胶法在（0001）蓝宝石衬底上制备了ZnO:Al薄膜,薄膜表面具有交叉链状形貌。随着掺铝浓度的提高,链条有明显变细的趋势。X射线衍射证实,提高掺铝浓度有利于促进薄膜沿（002）方向生长,并且光学带隙随掺杂浓度的...
- 薛书文刘彦章祖小涛
- 关键词：ZNO薄膜AL掺杂XRD吸收光谱溶胶凝胶法
- 文献传递
- 脉冲加热红外热成像无损检测技术回顾被引量：6
- 2004年
- 脉冲红外热成像无损检测技术是上世纪末发展起来的一门新兴无损检测技术,该文从 脉冲红外热成像无损检测的提出、理论模型的研究以及技术特点时该技术进行了回顾,并展望了其 未来发展趋势.
- 薛书文洪伟铭
- 关键词：脉冲红外热成像无损检测
- 脉冲红外热成像无损检测的物理检测机理被引量：20
- 2005年
- 介绍了实验中采用的脉冲红外热成像无损检测系统的组成,通过黑体辐射理论和热传导理论研究了系统检测机理以及常用的反射和透射检测方法,提出了两种增强小发射系数试件热辐射的方法,并得到了反射法和透射法检测的适用范围。
- 薛书文雷雨陈习权祖小涛
- 关键词：脉冲红外热成像无损检测
- 金属内部近表缺陷深度的定量化检测新方法被引量：11
- 1998年
- 通过对脉冲加热红外热成像无损检测的一维理论模型及实验结果的研究给出了一种估测金属材料内部近表缺陷深度的新方法，并给出测试结果．
- 薛书文宗明成张建新赵雁汤慧君
- 关键词：红外热成像无损检测金属
- 退火对ZnS薄膜光学性质和结构的影响被引量：2
- 2010年
- 采用真空蒸发法在石英基片上制备了ZnS薄膜,把制备好的ZnS薄膜进行退火处理,温度从300℃到900℃,退火时间为1h.利用扫描电镜(SEM)研究了薄膜厚度随退火温度的变化,利用光致发光谱(PL)和光吸收研究了在不同退火温度处理下薄膜光学性质的变化.结果显示,700℃随退火温度的升高,薄膜厚度变小,而700℃以后,随退火温度的升高薄膜厚度变大.光吸收显示,随退火温度的升高,薄膜在可见光范围内的光吸收逐渐降低,光学带宽发生蓝移,700℃以后,随退火温度身高,光吸收有一定的升高,光学带宽发生红移.光致发光显示,随退火温度的升高,ZnS薄膜与深能级缺陷相关的发光带(DLE)增强,700℃后薄膜,随退火温度的升高,DLE减弱.
- 张天红薛书文苏海桥袁兆林陈猛祖小涛
- 关键词：ZNS薄膜SEM光致发光退火
- 硫化锌n型和p型掺杂研究进展
- 2011年
- 硫化锌是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,实现高效稳定的n型和p型掺杂是ZnS在光电器件领域获得应用的关键之一.文章综述了近几年国内外在ZnS的n、p型掺杂等方面的研究进展,详细介绍了各种掺杂方法的最新研究成果和存在的问题,并对ZnS的n、p型掺杂的发展趋势作了展望.
- 薛书文陈健李登峰
- 关键词：硫化锌N型P型掺杂
- 模拟研究常闭和常开工作模式下的平面栅极型碳纳米管场发射电子源被引量：1
- 2009年
- 采用数值模拟的方法对比性地研究了常闭和常开工作模式下平面栅极型碳纳米管场发射电子源。静电场的数值计算结果显示:常闭工作模式下该电子源中阴极电极的表面电场分布不均匀,边缘处的高电场易导致其上的碳纳米管烧毁,从而引起场发射电流衰减。为了解决此问题,提出将常开工作模式用于该电子源,并证实常开工作模式能够用于该电子源,并有利于解决电流衰减问题。因此,相对于常闭工作模式,常开工作模式更适合平面栅极型碳纳米管场发射电子源。
- 吕文辉张帅邵乐喜刘贵昂薛书文张军宋航金亿鑫
- 关键词：数值模拟
- ZnO同质pn结发光二极管研究进展
- 2011年
- 氧化锌是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,制备性能优良的ZnO同质结是ZnO在光电器件领域获得应用的关键之一。文章综述了近几年ZnO同质结发光二极管研究进展,详细介绍了各种结构ZnO同质结发光二极管的最新研究成果和存在的问题,并对ZnO同质结发光二极管的发展趋势进行了展望。
- 薛书文
- 关键词：氧化锌同质结发光二极管光电器件
