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刘永强

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇噪声
  • 1篇噪声模型
  • 1篇放大器
  • 1篇LNA
  • 1篇MMIC

机构

  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇专用集成电路...

作者

  • 1篇张力江
  • 1篇蔡树军
  • 1篇魏洪涛
  • 1篇刘永强
  • 1篇刘会东

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
3mm波段低噪声放大器被引量：3
2014年
基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能，设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器。通过合理设计外延材料结构和器件结构，提高器件性能。测试1～40 GHz器件的S参数和噪声参数以及75～110 GHz器件的S参数，并采用外推的方法建立了器件的噪声模型。电路设计采用ADS仿真软件，采用全版图电磁场仿真保证电路设计的准确性，最终实现了一款3 mm波段低噪声放大器。测试结果显示在92～96 GHz时，带内增益大于20 dB，噪声系数小于4．0 dB。芯片面积3．07 mm×1．75 mm，直流功耗60 mW。
刘永强张力江魏洪涛刘会东蔡树军
关键词：噪声模型
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