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吴兵

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇自掺杂
  • 1篇过渡区
  • 1篇高频
  • 1篇BICMOS
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇西安微电子技...

作者

  • 1篇陈宝忠
  • 1篇王清波
  • 1篇薛智民
  • 1篇吴兵

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高速BiCMOS外延工艺研究被引量：1
2010年
外延工艺作为BiCMOS的关键工艺,影响着双极和CMOS器件的多项性能参数。文章对高速BiCMOS器件进行外延工艺研究,设计出了合理的外延层参数,并针对该参数进行了外延工艺的研发。高频器件需要超薄的外延层,控制较窄的过渡区是其关键,文章研究了几个主要外延工艺参数对过渡区的影响,并提出了一种通过减压、低温、本征外延得到窄过渡区的工艺方法。试制结果表明自掺杂效应得到明显抑制,1.5μm外延层下过渡区宽度小于0.25μm,外延层质量良好,测试结果表明该工艺能够满足高速BiCMOS器件的需要。
吴兵薛智民王清波陈宝忠
关键词：BICMOS高频过渡区自掺杂
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