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赵志伟

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：北京理工大学光电学院更多>>
发文基金：国家部委预研基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇缓冲层
  • 1篇SIO
  • 1篇TIO

机构

  • 1篇北京理工大学

作者

  • 1篇喻志农
  • 1篇薛唯
  • 1篇李玉琼
  • 1篇夏樊
  • 1篇赵志伟

传媒

  • 1篇北京理工大学...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
SiO_2和TiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜弯曲特性的影响被引量：2
2009年
讨论了柔性ITO薄膜在弯曲时导电能力失效的机理及影响因素.考察了SiO2和TiO2作为无机缓冲层的加入对于柔性ITO薄膜弯曲特性的影响.实验结果及分析表明,材料间的失配系数,结合力以及薄膜缺陷是影响ITO薄膜弯曲特性的主要因素.SiO2或TiO2无机缓冲层的加入降低了ITO薄膜抗内弯折临界半径;TiO2缓冲层能够明显增加ITO薄膜的耐弯折次数.
喻志农夏樊李玉琼薛唯赵志伟
关键词：缓冲层
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