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张冰

作品数:8 被引量:1H指数:1
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇调制度
  • 2篇示波器
  • 2篇双踪示波器
  • 2篇平行光
  • 2篇平行光管
  • 2篇组件
  • 2篇量子效率
  • 2篇模拟电压
  • 2篇模拟开关
  • 2篇积分球
  • 2篇光电
  • 2篇光电二极管
  • 2篇光学
  • 2篇光学组件
  • 2篇二极管
  • 2篇感器
  • 2篇测试装置
  • 2篇传递函数
  • 2篇传感
  • 2篇传感器

机构

  • 8篇西安微电子技...

作者

  • 8篇张冰
  • 2篇何杰
  • 2篇李栋
  • 2篇李炘
  • 1篇季轻舟
  • 1篇唐威
  • 1篇王勇
  • 1篇吴龙胜
  • 1篇刘文平
  • 1篇王俊峰
  • 1篇曹琛

传媒

  • 2篇微电子学与计...
  • 1篇光电子.激光

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2015
  • 2篇2014
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种测试模拟开关通道转换无效输出时间的装置
本发明公开了一种测试模拟开关通道转换无效输出时间的装置,包括与模拟电压产生模块、电压检测模块、测试板模块、电源和双踪示波器;其中模拟电压产生模块、电压检测模块、测试板模块分别与待测模拟开关的输入端连接,其中待测模拟开关为...
张冰
文献传递
CMOS图像传感器4T像素本底噪声分析
2014年
为了抑制本底噪声,提高图像动态范围,首先给出CMOS图像传感器的4T像素结构,分析该结构下的基本噪声源.然后,分别讨论了各本底噪声分量的形成及对信号的影响,并以噪声电子数的形式对各噪声分量进行了定量分析,提出了相应的噪声抑制措施,且进行了仿真验证.
李栋刘文平张冰李炘何杰
关键词:CMOS图像传感器动态范围
一种图像传感器件低频传递函数测试装置及其测试方法
本发明公开了一种图像传感器件低频传递函数测试装置及其测试方法,包括顺序设置的积分球、光学靶标、平行光管和光学透射镜头,光学透射镜头处设置有控制驱动板,控制驱动板与图像采集处理模块连接;其中光学靶标上设置有若干互相平行的靶...
张冰
文献传递
一种图像传感器件低频传递函数测试装置及其测试方法
本发明公开了一种图像传感器件低频传递函数测试装置及其测试方法,包括顺序设置的积分球、光学靶标、平行光管和光学透射镜头,光学透射镜头处设置有控制驱动板,控制驱动板与图像采集处理模块连接;其中光学靶标上设置有若干互相平行的靶...
张冰
文献传递
一种测量模拟开关电荷注入量的装置及方法
本发明公开了一种测量模拟开关电荷注入量的装置,包括模拟电压产生模块,模拟电压产生模块与电压检测模块连接,电压检测模块与待测模拟开关的输入端连接,待测模拟开关的输出端并联有双踪示波器和电容器,待测模拟开关还与电源连接,双踪...
张冰
文献传递
P型掺杂区工艺对Si基Pinned型光电二极管量子效率的影响被引量:1
2015年
为了更全面、系统地分析Si基Pinned型光电二极管(PPD,pinned photodiode)量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面(SRH,shockley-read-hall)复合率模型的时域有限差分数值模拟方法,对不同P+型表面层和P型外延(EPI,epitaxial)层工艺条件下PPD可见光谱量子效率的变化特征及物理机制进行了研究。结果表明,P+型表面层离子束注入剂量和注入能量的增加分别引起非平衡载流子SRH复合率升高和PPD势垒区顶部下移,均可导致低于500nm波段量子效率的衰减,而后者进一步引起的势垒区纵向宽度缩减使该影响可持续至650nm波段;P型EPI掺杂浓度增加引起PPD势垒区底部上移,导致500~750nm波段量子效率的衰减;P型EPI厚度增加引起衬底强SRH复合区光电荷比重降低,导致高于700nm波段量子效率得到提升并趋向饱和。通过分析发现,Si基材料中光子吸收深度对波长的强依赖关系是导致两种P型掺杂区工艺条件对量子效率存在波段差异性影响的根本原因。
曹琛张冰王俊峰吴龙胜
关键词:量子效率
一种提升4T-APS像元量子效率的方法
2014年
通过调整钳位光电二极管P+层掺杂浓度与阈值注入浓度,抑制了4T-APS像元传输管亚阈值漏电,提升了像元的满阱能力与量子效率,并应用TCAD工具进行了仿真验证.结果表明,像元满阱容量可由3500e-提升至7900e-,550nm入射光条件下量子效率可提升27.8%.
李炘唐威张冰李栋何杰
关键词:有源像素传感器量子效率
一种防止单点失效的双冗余译码驱动电路结构
本实用新型一种防止单点失效的双冗余译码驱动电路结构,包括第一PMOS晶体管的衬底与源极相连并连接电源电压,漏极与第二PMOS晶体管源极和衬底相连,栅极与第三分压多晶电阻一端相连;第二PMOS晶体管漏极与输出多晶电阻一端相...
季轻舟雒宝花张立博张冰李飞强王勇
文献传递
共1页<1>
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