曹琛
- 作品数：3 被引量：6H指数：2
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- 一款抗单粒子瞬态加固的偏置电路被引量：4
- 2013年
- 通过增加一个NMOP、PMOS和一个电阻组成的单粒子瞬态抑制电路,设计了一种新的抗单粒子瞬态加固的偏置电路,该偏置电路具有较高抗单粒子瞬态能力.为了证实其抗单粒子能力,基于SIMC 130nm CMOS工艺设计了传统的及提出的抗单粒子瞬态两种结构的偏置电路.仿真结果表明,对于提出的加固偏置电路,由单粒子引起的瞬态电压和电流的变化幅值分别减小了约80.6%和81.2%;同时增加的单粒子瞬态抑制电路在正常工作状态下不消耗额外功耗,且所占用的芯片面积小,也没有引入额外的单粒子敏感结点.
- 韩本光曹琛吴龙胜刘佑宝
- 关键词：偏置电路
- 保护环对130nm体硅PMOS抗单粒子瞬态特性的影响被引量：2
- 2012年
- 基于TCAD(Technology Computer Aided Design)仿真软件,通过对带有不同宽度保护环的130nm体硅PMOS器件进行单粒子辐照仿真,研究了保护环结构对深亚微米器件因单粒子辐照所产生的寄生双极效应.仿真结果表明,保护环结构能够大幅缩短器件SET(Single Event Transient)电流的脉冲宽度,有效抑制寄生双极电荷收集,这种抑制作用随着保护环宽度增加而增强,最终趋于稳定.通过对加固器件的面积和抗辐射性能的折衷考虑,改进了保护环结构,并以宽度为0.38μm的保护环为例,证明了改进后的结构能够在保证器件抗单粒子性能及电学特性,同时节省29.4%的面积.
- 曹琛王俊峰岳红菊唐威吴龙胜
- 关键词：保护环深亚微米
- P型掺杂区工艺对Si基Pinned型光电二极管量子效率的影响被引量：1
- 2015年
- 为了更全面、系统地分析Si基Pinned型光电二极管（PPD,pinned photodiode）量子效率的工艺敏感特性,基于考虑表面（SRH,shockley-read-hall）复合率模型的时域有限差分数值模拟方法,对不同P＋型表面层和P型外延（EPI,epitaxial）层工艺条件下PPD可见光谱量子效率的变化特征及物理机制进行了研究。结果表明,P＋型表面层离子束注入剂量和注入能量的增加分别引起非平衡载流子SRH复合率升高和PPD势垒区顶部下移,均可导致低于500nm波段量子效率的衰减,而后者进一步引起的势垒区纵向宽度缩减使该影响可持续至650nm波段;P型EPI掺杂浓度增加引起PPD势垒区底部上移,导致500~750nm波段量子效率的衰减;P型EPI厚度增加引起衬底强SRH复合区光电荷比重降低,导致高于700nm波段量子效率得到提升并趋向饱和。通过分析发现,Si基材料中光子吸收深度对波长的强依赖关系是导致两种P型掺杂区工艺条件对量子效率存在波段差异性影响的根本原因。
- 曹琛张冰王俊峰吴龙胜
- 关键词：量子效率
