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李远程

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学光电信息学院更多>>
相关领域：理学电子电信机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇基片
  • 1篇基片温度
  • 1篇光电
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性能
  • 1篇RF-PEC...
  • 1篇A-SI:H
  • 1篇A-SI:H...

机构

  • 1篇电子科技大学

作者

  • 1篇陈宇翔
  • 1篇金鑫
  • 1篇邓坤
  • 1篇李远程
  • 1篇李伟

传媒

  • 1篇实验科学与技...

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基片温度对掺磷a-Si:H薄膜光电性能的影响
2009年
采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)方法制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。研究了不同基片温度对薄膜沉积速率、电阻率、折射率以及光学带隙等的影响。结果表明:a-Si:H薄膜的沉降速率随着基片温度的升高而增大;薄膜的电阻率随着基片温度的增加而迅速下降,并在250℃达到最低值;a-Si:H薄膜的折射率随着基片温度的增加而增大,但光学带隙随着基片温度的增加而减小。
金鑫李远程邓坤陈宇翔李伟
关键词：基片温度A-SI:H薄膜RF-PECVD电阻率光学性能
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