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滕浩

作品数：2 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇真空
  • 1篇真空烧结
  • 1篇双掺杂
  • 1篇碳化硅
  • 1篇陶瓷
  • 1篇透明陶瓷
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇光谱
  • 1篇Y2O3
  • 1篇A3+
  • 1篇HVPE
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院研...
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 2篇滕浩
  • 1篇李文杰
  • 1篇周圣明
  • 1篇侯肖瑞
  • 1篇林辉
  • 1篇王军
  • 1篇贾婷婷

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Tm3+和La3+双掺杂Y2O3透明陶瓷制备
采用固相球磨和真空烧结技术制备了Tm3+和La3+双掺杂的Y2O3透明陶瓷。结果表明,掺杂量为5at.%的La3+离子可在1300℃空气气氛煅烧下完全进入Y2O3主相晶格;固相球磨的粉末经过1300℃煅烧3h处理后,在1...
滕浩李文杰林辉侯肖瑞李宇焜贾婷婷周圣明
关键词：透明陶瓷Y2O3真空烧结光谱
文献传递
异质衬底上HVPE法生长GaN厚膜的研究进展被引量：8
2009年
氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段。氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法。衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向。
贾婷婷林辉滕浩侯肖瑞王军周圣明
关键词：氮化镓HVPE蓝宝石碳化硅
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