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林辉

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氮化镓
  • 1篇碳化硅
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇HVPE

机构

  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇周圣明
  • 1篇侯肖瑞
  • 1篇林辉
  • 1篇王军
  • 1篇贾婷婷
  • 1篇滕浩

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
异质衬底上HVPE法生长GaN厚膜的研究进展被引量：8
2009年
氮化镓基(GaN)光电器件的快速发展,对GaN的质量提出更高的要求,同质外延可以避免由于失配引起的缺陷,厚膜生长是解决GaN体材料生长困难的有效手段。氢化物气相外延(HVPE)是目前最普遍的制备氮化镓厚膜的方法。衬底对于GaN厚膜的影响不可忽视,本文总结了在蓝宝石、碳化硅和铝酸锂衬底上制备GaN厚膜的研究进展,讨论了今后的研究方向。
贾婷婷林辉滕浩侯肖瑞王军周圣明
关键词：氮化镓HVPE蓝宝石碳化硅
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