李平
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：鲁东大学更多>>
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- 相关领域：理学更多>>
- 应用L-MBE方法制备ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
- 2010年
- 用激光分子束外延(Laser Molecular Beam Epitaxy,L-MBE)设备在p型Si(111)衬底上制备了不同衬底温度和不同氧压的ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析,用He-Cd激光(325nm)激发的光致发光测试系统对薄膜进行了荧光光谱分析。研究发现,在衬底温度为400℃,氧压1Pa左右所制备的ZnO薄膜表面比较均匀致密,晶粒生长较充分,有较高的结晶质量和发光强度。ZnO薄膜的近带边发射与薄膜的结晶质量和化学配比均有关系。
- 张世玉李清山张立春李平马自侠张志峰
- 关键词：激光分子束外延ZNO薄膜结构特性光致发光
- ZnO/PS复合体系的白光发射及机制研究
- 利用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,并在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构和光学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,在PS衬底上制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多的缺陷....
- 张世玉李清山李平马自侠
- 氧等离子环境下影响多孔硅光学特性的因素被引量：2
- 2011年
- 研究了多孔硅(porous silicon,PS)在氧等离子体环境中退火温度和存储时间对PS光学稳定性的影响。通过光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱对系列样品进行分析。高斯拟合结果显示PL谱由三个高斯峰叠加而成,其中至少两个高斯峰是由非量子限制效应造成的,即第一峰面积的变化与Si=O双键密切相关,第三峰面积的变化与Si-O-Si桥键以及SiHx(x=1,2)键有关;退火温度对以上两个峰的强弱变化有直接影响。
- 李平李清山张世玉马自侠
- 关键词：多孔硅
- 氧等离子体环境下退火温度和时间对多孔硅发光特性的影响
- 2011年
- 多孔硅(porous silicon,PS)样品在氧等离子体环境中退火,探究了退火温度和时间对PS光学特性的影响,通过光致发光(photoluminescence,PL)光谱和傅里叶变换红外光谱对样品进行了分析.高斯拟合结果显示样品的PL谱由三个中心峰位分别在2.16,2.06和1.95 eV的高斯峰叠加而成,样品在200℃退火10—180 min后,峰位在2.16 eV高斯峰的发光强度增强,同时峰位在2.06和1.95 eV的高斯峰发光强度逐渐减小直至最终消失.随退火时间的延长,多孔硅的纳米结晶硅颗粒尺寸减小,180 min退火时间下,硅颗粒尺寸减小了0.1—0.45 nm;样品在100℃—600℃退火后,PL谱强度呈减弱趋势,600℃退火后,PL谱淬灭.
- 李平李清山张世玉马自侠张志峰
- 关键词：多孔硅退火量子限制效应
- ZnO纳米结构/多孔硅复合体系的结构和发光特性研究被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积的方法分别在硅片和多孔硅衬底上沉积ZnO薄膜作为种子层,随后用溶液法生长了ZnO纳米棒,考察了衬底对纳米棒结构和发光性能的影响.XRD和SEM测量表明,制备的ZnO纳米棒为六角纤锌矿结构,有较好的c轴择优生长趋势,ZnO纳米棒顶端为平顶状.不同衬底生长ZnO纳米棒阵列的结构有很大差异.光致发光谱显示,多孔硅的橙红光和ZnO的发光叠加在一起,ZnO纳米结构/多孔硅复合体系在可见光区有很强的光致发光现象.
- 张世玉李清山李平马自侠
- 关键词：多孔硅ZNO薄膜ZNO纳米棒白光发射
