马自侠
- 作品数：9 被引量：6H指数：2
- 供职机构：鲁东大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金山东省高等学校科技计划项目鲁东大学校基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程更多>>
- 溶液浓度对ZnO纳米棒形貌和发光的影响
- 2012年
- 为了获取高质量、高取向排列规则的ZnO纳米棒,玻璃衬底预先用脉冲激光沉积方法制备一层ZnO薄膜作为籽晶层,应用水热法在玻璃衬底上生长ZnO纳米棒。探究了籽晶层及不同溶液浓度对ZnO纳米棒结构和发光的影响,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪测量样品的形貌和结构,用组建的光致发光测试系统对样品的室温光致发光光谱进行测定。结果表明,ZnO纳米棒具有高度取向且分布致密均匀;光致发光光谱显示ZnO的近带边发射比深能级发光略低;随着溶液浓度的增加,近带边发光和深能级发光相对强度的比值依次降低。
- 霍艳丽李少兰马自侠
- 关键词：光致发光水热法脉冲激光沉积ZNO纳米棒
- 两步法生长ZnO纳米棒的结构及其发光特性被引量：2
- 2012年
- 应用两步法在玻璃衬底上制备了高度取向的ZnO纳米棒,并研究了衬底和反应时间等参数对其结构及发光特性的影响。从样品的扫描电镜(SEM)图中发现,利用脉冲激光沉积(PLD)方法在玻璃衬底上生长一层ZnO薄膜作为修饰层,可以明显提高水热法生长的ZnO纳米棒的结晶质量。样品的SEM和光致发光(PL)谱表明,在有ZnO修饰层的玻璃衬底上生长的ZnO纳米棒分布均匀,排列致密,取向性好;缺陷发光的发光强度约是激子发光峰的2倍,且随着反应时间增长,样品的缺陷发光增强而激子发光减弱。
- 马自侠李清山张立春赵风周袁润
- 关键词：水热法ZNO纳米棒
- ZnO纳米结构制备及其发光特性研究
- ZnO纳米材料的光致发光光谱一般由近紫外光谱和可见光谱组成，其发光特性与其结晶质量有着密切的联系。通常情况下，激光脉冲沉积方法制备的ZnO薄膜由于其结晶质量高而具有较强的紫外发射，而ZnO纳米棒由于其缺陷较多却表现出较强...
- 马自侠
- 关键词：PLPLDZNO纳米棒ZNO薄膜
- 文献传递
- 应用L-MBE方法制备ZnO薄膜的结构和光学特性被引量：1
- 2010年
- 用激光分子束外延(Laser Molecular Beam Epitaxy,L-MBE)设备在p型Si(111)衬底上制备了不同衬底温度和不同氧压的ZnO薄膜,用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的结构和形貌进行了分析,用He-Cd激光(325nm)激发的光致发光测试系统对薄膜进行了荧光光谱分析。研究发现,在衬底温度为400℃,氧压1Pa左右所制备的ZnO薄膜表面比较均匀致密,晶粒生长较充分,有较高的结晶质量和发光强度。ZnO薄膜的近带边发射与薄膜的结晶质量和化学配比均有关系。
- 张世玉李清山张立春李平马自侠张志峰
- 关键词：激光分子束外延ZNO薄膜结构特性光致发光
- ZnO/PS复合体系的白光发射及机制研究
- 利用脉冲激光沉积的方法在多孔硅(PS)衬底上沉积ZnO薄膜,并在室温下测量了ZnO/PS异质结的结构和光学性质.X射线衍射仪和扫描电子显微镜测量表明,在PS衬底上制备的ZnO薄膜具有一定的c轴取向,但薄膜存在较多的缺陷....
- 张世玉李清山李平马自侠
- 生长时间对氧化锌纳米棒发光性能的影响
- 2012年
- 为了研究氧化锌纳米棒的生长机理,先用脉冲激光沉积方法在玻璃衬底上制备一层氧化锌薄膜作为种子层,然后用水热法在种子层上生长氧化锌纳米棒,研究了不同反应时间对其结构、形貌及发光特性的影响。利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜测定样品的结构和形貌,用自组建的光致发光系统对样品的光致发光光谱进行了测量。结果表明,氧化锌纳米棒沿c轴高度取向并呈六角纤锌矿结构;随着生长时间的增加,氧化锌纳米棒结晶质量明显改善,纳米棒均匀、致密性和取向性均提高,样品的缺陷发光增强而激子发光减弱。
- 马自侠李清山张立春赵风周曲崇霍艳丽
- 关键词：氧化锌纳米棒脉冲激光沉积水热法光致发光
- 氧等离子体环境下退火温度和时间对多孔硅发光特性的影响
- 2011年
- 多孔硅(porous silicon,PS)样品在氧等离子体环境中退火,探究了退火温度和时间对PS光学特性的影响,通过光致发光(photoluminescence,PL)光谱和傅里叶变换红外光谱对样品进行了分析.高斯拟合结果显示样品的PL谱由三个中心峰位分别在2.16,2.06和1.95 eV的高斯峰叠加而成,样品在200℃退火10—180 min后,峰位在2.16 eV高斯峰的发光强度增强,同时峰位在2.06和1.95 eV的高斯峰发光强度逐渐减小直至最终消失.随退火时间的延长,多孔硅的纳米结晶硅颗粒尺寸减小,180 min退火时间下,硅颗粒尺寸减小了0.1—0.45 nm;样品在100℃—600℃退火后,PL谱强度呈减弱趋势,600℃退火后,PL谱淬灭.
- 李平李清山张世玉马自侠张志峰
- 关键词：多孔硅退火量子限制效应
- ZnO纳米结构/多孔硅复合体系的结构和发光特性研究被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积的方法分别在硅片和多孔硅衬底上沉积ZnO薄膜作为种子层,随后用溶液法生长了ZnO纳米棒,考察了衬底对纳米棒结构和发光性能的影响.XRD和SEM测量表明,制备的ZnO纳米棒为六角纤锌矿结构,有较好的c轴择优生长趋势,ZnO纳米棒顶端为平顶状.不同衬底生长ZnO纳米棒阵列的结构有很大差异.光致发光谱显示,多孔硅的橙红光和ZnO的发光叠加在一起,ZnO纳米结构/多孔硅复合体系在可见光区有很强的光致发光现象.
- 张世玉李清山李平马自侠
- 关键词：多孔硅ZNO薄膜ZNO纳米棒白光发射
- 氧等离子环境下影响多孔硅光学特性的因素被引量：2
- 2011年
- 研究了多孔硅(porous silicon,PS)在氧等离子体环境中退火温度和存储时间对PS光学稳定性的影响。通过光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱对系列样品进行分析。高斯拟合结果显示PL谱由三个高斯峰叠加而成,其中至少两个高斯峰是由非量子限制效应造成的,即第一峰面积的变化与Si=O双键密切相关,第三峰面积的变化与Si-O-Si桥键以及SiHx(x=1,2)键有关;退火温度对以上两个峰的强弱变化有直接影响。
- 李平李清山张世玉马自侠
- 关键词：多孔硅
