李沛
- 作品数：11 被引量：12H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 过冷度对液相外延HgCdTe薄膜厚度均匀性的影响被引量：2
- 2019年
- 探索了一种准确测量过冷度的实验方法,并在此基础上,利用光学显微镜、傅里叶红外透射光谱仪、台阶仪、白光干涉仪等测试手段分析了过冷度对Hg Cd Te薄膜厚度均匀性的影响.研究结果表明,过冷度小于2℃,薄膜容易出现中心凹陷、四周凸起的现象;过冷度大于3℃,薄膜中心将会明显凸起,出现宽度为毫米级的周期性起伏,并伴随有crosshatch线产生.当过冷度为2. 5℃时,薄膜厚度极差可缩小至0. 5μm,0. 5 mm×0. 5 mm范围内薄膜相对于衬底的粗糙度增加量为9. 07 nm.
- 陆骏李东升吴军万志远宋林伟李沛张阳孔金丞
- 关键词：碲镉汞过冷度液相外延
- 一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法
- 本发明公开了一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法，该方法将碲锌镉晶体采用镉饱和气氛退火处理，实现镉原子热扩散消除碲锌镉晶体中导电类型转变界面、改善碲锌镉晶锭的均匀性和一致性。该方法提升了材料的光学性能、电学性能及组分...
- 赵文孔金丞姜军李沛俞见云李俊陈少璠庹梦寒王静宇陈姗姬荣斌
- 碲锌镉衬底表面在碲镉汞液相外延工艺中的热腐蚀效应被引量：5
- 2018年
- 该研究以提高液相外延碲镉汞材料的质量为出发点,研究液相外延生长过程中碲锌镉衬底受到高温汞蒸气影响后的变化情况,并利用光学显微镜、白光干涉仪、能谱仪等分析测试手段对碲锌镉衬底表面进行分析.研究结果表明,液相外延生长过程中,高温汞蒸气对碲锌镉衬底中表面沉淀物尺寸无明显影响,但在衬底表面发现两种类型的腐蚀点,一种是尺寸为25μm左右的较大腐蚀点,分布较均匀;另一种是尺寸为7μm左右的圆形腐蚀点,分布不均匀.衬底经过液相外延薄膜成核生长前的温度变化过程以及高温Hg蒸气的作用,碲锌镉衬底表面形貌呈鱼鳞状,粗糙度增大了50%以上.
- 宋林伟吴军孔金丞李东升张阳李沛杨翔万志远黄元晋木胜
- 关键词：液相外延粗糙度
- 降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途
- 本发明提供了一种降低表面缺陷的垂直液相外延碲镉汞薄膜用石墨舟及用途，包括带有楔形槽的石墨舟主体、楔形衬底承载件及固定螺栓；石墨舟主体为一正多面体，其前后左右四个面均设置有楔形槽，该楔形槽用于供楔形衬底承载件插入；楔形衬底...
- 张阳吴军孔金丞杨进宝李沛万志远木胜王宇婷龙云富方东姬荣斌
- 文献传递
- 液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善被引量：7
- 2014年
- 由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边缘2.5 mm)以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高,增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波碲镉汞材料(?1/2(77 K)=4.8?m)?x≤0.001,与国外水平相当。
- 吴军毛旭峰万志远李沛韩福忠
- 关键词：碲镉汞LPE
- 一种碲镉汞液相外延材料生长方法
- 本发明公开了一种碲镉汞液相外延材料生长方法，针对碲镉汞和碲锌镉衬底之间不可避免存在的失配应力导致碲镉汞薄膜质量降低的问题，通过调整液相外延过程中的生长速率，在液相外延生长前段适当提高生长速率，使由于碲镉汞和碲锌镉之间晶格...
- 宋林伟孔金丞万志远方东王文金杨岸毛旭峰起文斌李沛姬荣斌
- HgCdTe材料器件中的热处理技术被引量：1
- 2016年
- 热处理技术在整个HgCdTe材料器件工艺中有着重要地位。在一定的热力学条件下对HgCdTe材料进行热处理,可通过原子的热运动,调整材料电学性能和掺杂原子的占位形态、降低材料缺陷密度,以达到改善HgCdTe材料器件性能的目的。从热处理与电学性能、热处理与缺陷密度、掺杂材料中的热处理技术以及器件工艺中的热处理技术等几方面进行了总结论述。
- 宋林伟吴军李沛张阳毛旭峰李东升
- 关键词：HGCDTE位错密度电学性能
- 液相外延碲镉汞薄膜缺陷综述
- 2023年
- 液相外延是碲镉汞(MCT)薄膜生长领域最成熟的一种方法,被众多红外探测器研究机构和生产商所采用。然而由于MCT材料自身属性和具体制备工艺的原因,液相外延生长过程中不可避免地会产生各种缺陷,从而降低红外探测器的性能。为了增加对液相外延MCT薄膜中缺陷的认识,并对具体的生长工艺提供指导性建议,基于已报道的文献总结了液相外延MCT薄膜中所存在一些缺陷的特征以及形成机理和消除方法。对各类缺陷的形成机理和消除方法进行探讨和评估,有助于提高MCT薄膜液相外延的水平,为制造高性能MCT探测器做好材料技术支撑。
- 起文斌丛树仁宋林伟李沛江先燕俞见云宁卓邓文斌孔金丞
- 关键词：碲镉汞材料液相外延
- 一种用于大尺寸长条状半导体样品的霍尔测试装置及方法
- 本发明公开了一种用于大尺寸长条状半导体样品的霍尔测试装置及方法，由电流加载选通装置、测试用电缆、固定支架、杜瓦、垂直升降装置及磁场加载装置组成。方法包括：1)由该垂直升降装置水平部分托起杜瓦部件，待测样品置于杜瓦内部，随...
- 丛树仁陈姗严顺英李俊宁卓芮红明李沛孔金丞李东升彭曼泽杨彦
- 文献传递
- 一种碲镉汞液相外延生长源定量合成的装置
- 本实用新型属于红外探测器制造领域，涉及一种碲镉汞液相外延生长源定量合成的装置，该装置包括石墨模具和石英管，石墨模具是由模具A和模具B紧固扣合而成的密闭空腔，模具A为槽型结构，开设有合成槽；模具B内设置有数个定量槽和导流槽...
- 李东升李沛郭建华万志远黄元晋宋林伟木胜毛旭峰张阳陆骏
- 文献传递
