郭喜
- 作品数：7 被引量：5H指数：2
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- InAs/GaSbⅡ类超晶格材料技术研究
- InAs/GaSbⅡ类超晶格以其特有的量子效率高、暗电流小、能带结构可调等材料性能和器件优势,成为第三代红外探测器技术的最佳选择之一.相比于碲镉汞探测器,共同点在于相近的吸收系数、截止波段从短波到超长波连续可调,允许光伏...
- 刘铭邢伟荣郭喜折伟林王宪谋周立庆
- 增黏剂(HMDS)在锑化铟光刻工艺中的应用
- 2008年
- 介绍了增黏剂(HMDS)的物化性质及其在光刻工艺中的作用,并且通过实验研究将增黏剂应用于锑化铟材料的光刻工艺,改善了锑化铟的表面状态,增强了锑化铟衬底与光刻胶的黏附性,进而在湿法腐蚀等后续工艺中提高了光刻胶的抗腐蚀性。
- 郭喜
- 关键词：锑化铟光刻工艺光刻胶黏附性抗腐蚀性
- InAs/GaSb二类超晶格材料湿法腐蚀工艺研究被引量：2
- 2018年
- 研究了不同腐蚀溶液体系下铟砷镓锑(InAs/GaSb)二类超晶格材料的湿法腐蚀工艺。根据腐蚀效果选择了由柠檬酸(C_6H_8O_7)、磷酸(H_3PO_4)、过氧化氢(H_2O_2)构成的混合腐蚀液。这种腐蚀液对InAs/GaSb材料腐蚀速率稳定,腐蚀后表面光滑,且下切效应小。同时,研究了该成分腐蚀液不同腐蚀液温度、浓度和各成分配比等条件对InAs/GaSb材料腐蚀速率,形貌和钻蚀情况的影响。根据实验结果配制了体积比为1∶1∶1∶40的柠檬酸(50%):磷酸(85%):过氧化氢(31%):水的腐蚀溶液,室温(20℃)下腐蚀速率约为9.48 nm/s。
- 亢喆温涛郭喜
- 关键词：湿法腐蚀
- 适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术被引量：2
- 2010年
- 介绍了一种适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术,采用图形反转胶和正型光刻胶,选择合适的光刻工艺形成了光刻胶"倒梯形"的剖面结构,可以成功剥离与胶层厚度相同的膜层,厚度可达13μm。同时对一些技术机理和关键工艺条件进行了讨论。
- 郭喜支淑英杨春莉巩爽
- 分子束外延InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料被引量：1
- 2017年
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格由于具有独特的能带结构和良好的材料性能被认为是第三代红外探测器的首选,近年来被广泛研究,并取得快速发展。分子束外延能够精确控制材料界面与周期厚度,是超晶格材料生长的主流手段。利用分子束外延技术在GaSb衬底上分别生长了中波、长波超晶格材料,并对所生长的超晶格材料的性能进行了全面表征,最后用制备的面阵器件验证了该材料的性能。
- 邢伟荣刘铭郭喜周朋周立庆
- 关键词：INAS/GASB分子束外延红外探测器
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面探测器研究
- 2021年
- InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料是第三代红外焦平面探测器的优选材料。报道了一种面阵规模为320×256、像元中心距为30 m的InAs/GaSb Ⅱ类超晶格长波红外焦平面器件。在77 K时,该器件的平均峰值探测率为7.6×1010 cm·Hz1/2·W^(-1),盲元率为1.46%,响应非均匀性为7.55%,噪声等效温差(Noise Equivalent Temperature Difference,NETD)为25.5 mK。经计算可知,这种器件的峰值量子效率为26.2%,50%截止波长为9.1 m。最后对该器件进行了成像演示。结果表明,该研究为后续的相关器件研制奠定了基础。
- 温涛邢伟荣李海燕李春领刘铭李忠贺郭喜亢喆张智超陈彦冠
- 关键词：长波红外焦平面阵列
- 光敏聚酰亚胺在硫化镉紫外器件中的应用
- 2016年
- 介绍了光敏聚酰亚胺的特性及应用情况,将其引入到硫化镉紫外器件制作中,通过实验研究开发并掌握一种正性光敏聚酰亚胺的光刻工艺,亚胺化后将其作为硫化镉器件的表面钝化层,经过实验验证其粘附牢固度和光电性能满足使用要求。同时该光敏聚酰亚胺的应用能够简化近40%的制作工艺,提高了硫化镉紫外器件的生产效率和成品率。
- 郭喜李忠贺刘佳星杨刚
- 关键词：光敏聚酰亚胺硫化镉光刻亚胺化表面钝化
