余乐
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家大学生创新性实验计划中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 溅射气压和衬底温度对Si_(1-x)Ge_x薄膜结构和光吸收性能的影响被引量：2
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法沉积了Si1-xGex薄膜,研究了溅射气压、衬底温度对薄膜结构、厚度、表面形貌、表面成分及光吸收性能的影响。结果表明:薄膜均为微晶结构且相组成不随溅射气压和衬底温度的改变而改变;随着溅射气压升高,薄膜结晶性能降低,升高衬底温度使其结晶性能提高;随气压或温度的升高,薄膜厚度均先增大后减小,在1.0Pa或400℃达到最大值;随温度的升高,薄膜表面团簇现象消失并变得平整致密,气压为8.0Pa时,表面有孔洞和沟道;随气压升高,薄膜中锗含量降低,光吸收强度减小,光学带隙增大;衬底温度的变化对光学带隙影响不大。
- 刘亚妮余乐李子全刘劲松曹安蒋维娜刘建宁
- 关键词：溅射气压衬底温度
- Ge/SiO_2和Ge/ZnO/SiO_2薄膜的磁控溅射制备及电学性能被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射方法以石英玻璃为衬底分别沉积制备出了Ge/SiO2和Ge/ZnO/SiO2薄膜。X射线衍射表明薄膜展示了明显的ZnO衍射峰和较弱的Ge衍射峰;傅里叶变换红外光谱曲线证明薄膜均具有各自的特征吸收峰;扫描电镜结果显示薄膜为颗粒状团簇结构,并且加入ZnO中间层可以有效的改善Ge层的质量。同时,对所得薄膜材料的电流-电压性能进行了研究,结果发现,Ge/SiO2薄膜的I-V曲线拟合后为斜线,相当于电阻;ZnO/SiO2薄膜为直线,可以认为是绝缘体;Ge/ZnO/SiO2薄膜在-10～10V之间电流电压呈线性关系,其电阻比Ge/SiO2薄膜小,当电压值超过15V之后,电流急剧增加而迅速使薄膜击穿,薄膜导通。
- 余乐刘劲松李子全陈建康何明霞彭洁曹安刘建宁蒋维娜万龙
- 关键词：射频磁控溅射
- (Si/Ge)_n多层薄膜的设计制备及光吸收性能被引量：1
- 2012年
- 采用射频磁控溅射技术,在石英玻璃衬底上沉积了具有不同层数和厚度的(Si/Ge)n多层薄膜。XRD、Raman光谱测试表明,溅射态薄膜为微晶结构,在溅射过程中层间扩散形成Si-Ge振动键,溅射时间和薄膜层数影响着薄膜层间的扩散和结晶率;FESEM结果表明,薄膜表面由颗粒团簇构成,层与层之间有明显界面。UV-vis光谱测试表明,(Si/Ge)n多层薄膜在可见光范围内具有较宽的吸收,增加薄膜层数可扩大太阳能光谱的响应范围,而增加Si单层膜厚度对光吸收范围的影响较小。
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- 关键词：射频磁控溅射层数厚度UV-VIS光谱
