孙兵兵
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西北工业大学材料学院摩擦焊接陕西省重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信更多>>
- Au-Si共晶扩散连接单晶硅接头的微观组织和性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用直接共晶和预共晶连接两种方法,对块体单晶硅扩散连接进行试验研究。结果表明:单晶硅接头界面主要由残留Au层、桥状硅和微孔组成。试验中微孔是个难以避免的缺陷,但随着连接温度升高,微孔数量会减少,即焊合率会增大。预共晶连接能有效地阻止微孔的产生,700℃时预共晶连接焊合率达87%,而直接共晶连接仅57%。预共晶连接接头抗拉强度较直接共晶连接低。因为预共晶连接主要在Au层发生断裂,故预共晶连接的残留Au层是个弱结合。直接共晶连接残余Au层很薄,平均厚度不足0.34μm,断裂主要发生在Au-Si界面上。
- 孙兵兵李京龙籍成宗熊江涛张赋升
- 关键词：单晶硅
- 预共晶条件下单晶硅接头的组织性能研究
- 2011年
- 通过在单晶硅表面预制一层Au-Si熔敷层,利用Au-Si低温共晶原理实现预共晶条件下单晶硅的低温扩散连接。分析表明,在界面的共晶组织中,Si的生长形态受晶体学取向和生长环境共同作用。由于Au-Si互不相溶,随着温度的升高,晶粒呈枝蔓状生长,其中某些晶粒沿着基体生长并最终实现基体的桥状连接。分析认为,随着预共晶温度的升高,接头焊缝区域逐渐变窄,焊合率上升,连接强度提高,Si的生长形貌趋于规则,界面中孔洞的数量减少和尺寸减小且趋于均匀。
- 籍成宗李京龙熊江涛张赋升孙兵兵
- 关键词：单晶硅
- 添加中间层的Mo-Al箔材扩散连接工艺及界面结合机理的研究被引量：2
- 2010年
- 在10 MPa、60 min的工艺条件下,分别添加5μm、20μm的Ni箔或5μm的Ti箔为中间层,采用三种工艺方案对10μm纯Mo箔和20μm、60μm纯Al箔进行真空扩散连接。方案一:在550℃下加Ni箔中间层的直接扩散连接;方案二:先在900℃进行Mo-Ni扩散连接,然后在450～550℃进行Mo/Ni与Al的连接;方案三:550℃下加Ti箔中间层的直接扩散连接。利用扫描电镜(SEM)观察接头界面形貌,并对结合机理和相组成进行分析。结果表明,方案一的焊合率仅为3%。方案二实现了界面良好连接,焊合率达到89%～100%,在Mo-Al之间存在5层反应产物,自Mo侧依次为MoNi、残留Ni层、Ni_2Al_3、NiAl_3、Al-Ni固溶体;中间层Ni箔的厚度由5μm增加到20μm时,Mo-Ni扩散层变厚,焊合率达到100%。采用方案三,即添加5μm的Ti箔做中间层时,获得了良好的界面连接,焊合率达到100%。
- 孙兵兵李京龙熊江涛张赋升黄甫
- 关键词：中间层
- Mo-Ta扩散连接中的扩散行为
- 选取微米级轧制Mo-Ta箔材为对象,进行真空扩散连接实验，获得连接接头。采用扫描电镜(SEM)和X射线衍射分析(XRD),对界面上的产物以及扩散层形貌进行分析。结果表明，在较低的温度下,在Ta内发生了相变生成了过渡相β-...
- 赵峰宽李京龙熊江涛张赋升孙兵兵
- 关键词：扩散层真空扩散连接
- Au-Si共晶扩散连接单晶硅接头的微观组织和性能研究
- 采用直接共晶和预共晶连接两种方法,对块体单晶硅扩散连接进行实验研究。结果表明:单晶硅接头界面主要由残留Au层、桥状硅和微孔组成。实验中微孔是个难以避免的缺陷,但随着连接温度升高,微孔数量会减少,即焊合率会增大。预共晶连接...
- 孙兵兵李京龙熊江涛张赋升籍成宗
- 关键词：单晶硅
- 文献传递
- 单晶硅低温连接的表面预共晶法研究
- 2011年
- 采用共晶连接与表面预共晶法连接相比较的方法,对单晶硅连接进行了实验研究和理论分析。结果表明,在保温30min的条件下,共晶连接与表面预共晶法实现可靠连接的最低温度分别为600与430℃。热力学分析表明,共晶连接过程中,连接界面区域Au、Si向Au或Si基过饱和固溶体转变是共晶液相形成的主要阻力;表面预共晶法连接前,单晶硅待连接面上预制了Au-Si共晶熔敷层,且熔敷层内及其与单晶硅界面区域存在因Au、Si相分离不完全而产生的过饱和固溶体,因此,连接过程中Au-Si的二次共晶液化不存在上述阻力,且获得了过饱和固溶体向共晶液相转变时体系吉布斯自由能减小的动力,所以,二次共晶液相更易产生,连接温度有效降低。
- 熊江涛李京龙魏艳妮张赋升孙兵兵黄卫东
- 关键词：单晶硅热力学
