籍成宗
- 作品数：7 被引量：7H指数：2
- 供职机构：西北工业大学材料学院摩擦焊接陕西省重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信更多>>
- Au-Si共晶扩散连接单晶硅接头的微观组织和性能研究
- 采用直接共晶和预共晶连接两种方法,对块体单晶硅扩散连接进行实验研究。结果表明:单晶硅接头界面主要由残留Au层、桥状硅和微孔组成。实验中微孔是个难以避免的缺陷,但随着连接温度升高,微孔数量会减少,即焊合率会增大。预共晶连接...
- 孙兵兵李京龙熊江涛张赋升籍成宗
- 关键词：单晶硅
- 文献传递
- Mg-Ti旋转摩擦焊过程的摩擦产热及原子扩散行为(英文)被引量：4
- 2012年
- 利用新型物理模拟装置进行Mg-Ti旋转摩擦焊过程产热机理及原子扩散行为的研究,该装置包含高速摄像、红外热成像及力学传感器系统。结果表明,摩擦焊过程中,摩擦因数经历两个稳态阶段的变化。第一个稳态阶段为库伦摩擦,以磨蚀为主要形式;第二个稳态阶段为粘着摩擦,以塑性流动为主要形式。另外,随着旋转转速及轴向压力的提高,轴向位移、摩擦温度及摩擦系数的增加率也随之明显提高。Mg-Ti摩擦焊过程存在原子的快速扩散现象,该过程中由摩擦大变形激活的扩散系数大约是热激活扩散系数的105倍。
- 李瑞迪李京龙熊江涛张赋升赵科籍成宗
- 关键词：摩擦焊产热原子扩散
- Au-Si共晶扩散连接单晶硅接头的微观组织和性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用直接共晶和预共晶连接两种方法,对块体单晶硅扩散连接进行试验研究。结果表明:单晶硅接头界面主要由残留Au层、桥状硅和微孔组成。试验中微孔是个难以避免的缺陷,但随着连接温度升高,微孔数量会减少,即焊合率会增大。预共晶连接能有效地阻止微孔的产生,700℃时预共晶连接焊合率达87%,而直接共晶连接仅57%。预共晶连接接头抗拉强度较直接共晶连接低。因为预共晶连接主要在Au层发生断裂,故预共晶连接的残留Au层是个弱结合。直接共晶连接残余Au层很薄,平均厚度不足0.34μm,断裂主要发生在Au-Si界面上。
- 孙兵兵李京龙籍成宗熊江涛张赋升
- 关键词：单晶硅
- 预共晶条件下单晶硅接头的组织性能研究
- 2011年
- 通过在单晶硅表面预制一层Au-Si熔敷层,利用Au-Si低温共晶原理实现预共晶条件下单晶硅的低温扩散连接。分析表明,在界面的共晶组织中,Si的生长形态受晶体学取向和生长环境共同作用。由于Au-Si互不相溶,随着温度的升高,晶粒呈枝蔓状生长,其中某些晶粒沿着基体生长并最终实现基体的桥状连接。分析认为,随着预共晶温度的升高,接头焊缝区域逐渐变窄,焊合率上升,连接强度提高,Si的生长形貌趋于规则,界面中孔洞的数量减少和尺寸减小且趋于均匀。
- 籍成宗李京龙熊江涛张赋升孙兵兵
- 关键词：单晶硅
- 预共晶条件下单晶硅接头的组织性能研究
- 本文通过在单晶硅表面预制一层Au-Si熔敷层,利用Au-Si低温共晶原理实现预共晶条件下单晶硅的低温扩散连接。分析表明,在界面的共晶组织中,Si的生长形态受晶体学取向和生长环境共同作用。由于Au-Si互不相溶,随着温度的...
- 梁力籍成宗李京龙
- 关键词：单晶硅
- 文献传递
- 激光熔覆Co-Cr-Ni-Mo涂层的粘塑性摩擦及组织演变行为(英文)被引量：2
- 2013年
- 通过激光熔覆Co-Cr-Ni-Mo合金与WC-Co硬质合金之间的旋转摩擦变形实验,研究钴基合金的粘塑性摩擦及纳米组织形成机制。考察粘塑性摩擦过程的摩擦系数、界面温度及轴向缩短量随时间的变化关系。结果表明以上物理量首先进入快速上升阶段,然后进入稳态阶段,其中第一个阶段属于滑动摩擦,第二阶段属于粘塑性摩擦。粘塑性摩擦后,激光熔覆涂层从表面至内部可分为粘塑性变形区、热力影响区、激光原始组织3个典型区域。粘塑性变形可将原始组织中的网状M23C7相破碎为弥散分布的等轴形状纳米晶粒。粘塑性区的宽度为37～131μm,其典型组织特征为晶粒尺度小于50nm的M23C7相及α-Co相,甚至含有少量接近非晶态结构。因而,粘塑性摩擦将激光熔覆合金的硬度由HV600提高至HV997。
- 李瑞迪李京龙梁毅籍成宗袁铁锤
- 关键词：剧烈塑性变形激光熔覆
- 纯铅搅拌摩擦焊接轴肩温度变化规律研究
- 在使用空心主轴及空心搅拌工具的搅拌摩擦焊接物理模拟装置上进行了纯铅搅拌摩擦焊接,并且利用红外热成像仪记录了轴肩的实时温度演变过程。研究表明在搅拌摩擦焊接过程中轴肩温度的变化具有周期性。在轴肩与工件接触的搅拌阶段,轴肩一端...
- 籍成宗鲍宏伟李京龙
- 关键词：搅拌摩擦焊红外热成像
- 文献传递
