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张少峰
作品数:
1
被引量:3
H指数:1
供职机构:
西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室
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发文基金:
中国航空科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
李阳平
西北工业大学材料学院凝固技术国...
刘正堂
西北工业大学材料学院凝固技术国...
陈海波
西北工业大学材料学院凝固技术国...
徐启远
西北工业大学材料学院凝固技术国...
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李阳平
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张少峰
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机械科学与技...
年份
1篇
2012
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反应离子刻蚀法制备石英纳米压印模板的工艺研究
被引量:3
2012年
为了使用紫外纳米压印法制备出亚波长结构,研究了在石英衬底上采用光刻和反应离子刻蚀技术制备出紫外纳米压印模板,以及模板制备过程中工艺参数对光刻胶和刻蚀速率的影响。利用激光共聚焦显微镜(LSCM)及原子力显微镜(AFM)对光刻和刻蚀图形的表面形貌进行了观察,获得了工艺参数对光刻胶掩膜图形和刻蚀图形的影响规律;在最优工艺参数条件下,所制紫外纳米压印模板整齐、规则,并利用紫外可见近红外光谱仪对其紫外透过率进行了表征,反应离子刻蚀后石英模板的透过率在365 nm处仍大于90%。
张少峰
刘正堂
李阳平
陈海波
徐启远
关键词:
光刻
反应离子刻蚀
刻蚀速率
亚波长结构
紫外纳米压印
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