陈海波
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
- 发文基金：中国航空科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 反应离子刻蚀法制备石英纳米压印模板的工艺研究被引量：3
- 2012年
- 为了使用紫外纳米压印法制备出亚波长结构,研究了在石英衬底上采用光刻和反应离子刻蚀技术制备出紫外纳米压印模板,以及模板制备过程中工艺参数对光刻胶和刻蚀速率的影响。利用激光共聚焦显微镜(LSCM)及原子力显微镜(AFM)对光刻和刻蚀图形的表面形貌进行了观察,获得了工艺参数对光刻胶掩膜图形和刻蚀图形的影响规律;在最优工艺参数条件下,所制紫外纳米压印模板整齐、规则,并利用紫外可见近红外光谱仪对其紫外透过率进行了表征,反应离子刻蚀后石英模板的透过率在365 nm处仍大于90%。
- 张少峰刘正堂李阳平陈海波徐启远
- 关键词：光刻反应离子刻蚀刻蚀速率亚波长结构紫外纳米压印
- 二维亚波长结构石英紫外压印模板的制备被引量：1
- 2013年
- 利用紫外光刻和反应离子刻蚀技术在石英衬底上制备二维亚波长结构的压印模板,并对模板进行表面修饰。研究了主要刻蚀工艺参数对刻蚀速率及刻蚀形貌的影响。增加工作气压,刻蚀速率先增大到最大值,然后下降;增加射频功率可以提高刻蚀速率,但功率过大会导致刻蚀产物发生二次沉积;延长刻蚀时间可以增加刻蚀深度,但时间过长会发生过刻蚀现象。在优化的刻蚀工艺条件下制备出了较为理想的亚波长石英模板。经表面修饰后,模板表面与水的接触角增大,有效克服了压印胶的粘连,并在ZnS衬底上压印出了良好的二维亚波长结构图形。
- 陈海波李阳平王宁刘正堂
- 关键词：亚波长结构反应离子刻蚀表面修饰纳米压印
- 锗表面二维亚波长结构的反应离子刻蚀制备被引量：1
- 2012年
- 为了获得具有金字塔结构的二维亚波长结构表面,提高其高宽比,用掩模曝光光刻及反应离子刻蚀技术,以SF6和O2为反应气体,在Ge衬底上制备了二维亚波长结构.用扫描电镜对刻蚀图形的形貌进行了观察,研究了功率、气压、气体流量及掩模图形对刻蚀图形的影响.结果表明:刻蚀图形腰部被优先刻蚀,形成凹陷的侧壁轮廓;O2流量增大有利于在侧壁形成保护层,从而减小腰部刻蚀、增大顶部及根部刻蚀;功率及气压过大或过小均会使侧壁刻蚀较大;方形图案比圆形图案掩模更有利于刻蚀出深度较大的亚波长结构.
- 李阳平陈海波刘正堂武倩郑倩张淼徐启远
- 关键词：锗光刻反应离子刻蚀亚波长结构掩模
