樊渝
- 作品数：7 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多收发通道芯片在片测试系统及方法
- 本发明提供一种多收发通道芯片在片测试系统及方法。该测试系统包括：第一多头射频探针、第二多头射频探针、微波开关、测量仪器和工控机；第一多头射频探针的各个探针头用于连接目标芯片一侧对应的各个射频信号端口，第二多头射频探针的各...
- 樊渝许春良陈兴李梦琪刘志军静亚薇田景旺
- 文献传递
- 2～4 GHz MMIC低噪声放大器被引量：7
- 2014年
- 采用中国电子科技集团公司第十三研究所的GaAs PHEMT低噪声工艺,设计了一款2~4 GHz微波单片集成电路低噪声放大器（MMIC LNA）。该低噪声放大器采用两级级联的电路结构,第一级折中考虑了低噪声放大器的最佳噪声和最大增益,采用源极串联负反馈和输入匹配电路,实现噪声匹配和输入匹配。第二级采用串联、并联负反馈,提高电路的增益平坦度和稳定性。每一级采用自偏电路设计,实现单电源供电。MMIC芯片测试结果为：工作频率为2~4 GHz,噪声系数小于1.0 dB,增益大于27.5 dB,1 dB压缩点输出功率大于18 dBm,输入、输出回波损耗小于-10 dB,芯片面积为2.2 mm×1.2 mm。
- 孙艳玲许春良樊渝魏碧华
- 关键词：负反馈
- 微波变频器测试方法
- 本标准规定了微波变频器的变频损耗、变频增益、变频增益平坦度、输出功率、本振端与中频端隔离度、本振端与射频端隔离度、射频端与中频端隔离度、镜像抑制度、边带抑制度、变频增益1 dB压缩点输入功率、变频增益1 dB压缩点输出功...
- 冯胜真樊渝静亚薇李珂霍玉柱
- 微波衰减器测试方法
- 本标准规定了微波衰减器主要电参数的测试方法。本标准适用于微波固定衰减器、微波可调衰减器相关电参数测试。
- 樊渝静亚薇高学邦王国全刘会东李富强崔波陈海蓉
- 一种9端口微波多功能收发芯片在片测试技术被引量：1
- 2022年
- 多功能芯片由单入单出单通道升级为多入多出多通道收发芯片,并大量应用于现代通信领域。针对多收发通道多功能芯片测试过程中,多次移动探针、重复压针、无法自动测量、测试效率低等不足,研究了多端口在片校准技术。通过去嵌入校准方法,将校准面移到探针尖端,实现了多端口微波探针在片精确校准。提出了一次压针测试多端口芯片各项参数的方法,利用定制的集成多端口共面探针,搭建了一次压针全通道测试系统,通过软件控制开关矩阵,完成多端口信号传输及数据采集,实现一次压针全通道测试。并与传统测试方法的测试数据进行对比分析,证明了该方法的可行性。
- 陈兴樊渝李梦琪
- 关键词：多功能芯片去嵌入S参数
- 微波移相器测试方法
- 本标准规定了微波移相器主要电参数的测试方法。本标准适用于微波移相器相关电参数测试。
- 樊渝李韶坤高学邦王国全谢媛媛王向玮韩鹏飞陈海蓉
- InP双异质结双极晶体管的相位噪声特性被引量：2
- 2019年
- InP双异质结双极晶体管(DHBT)由于优异的频率和相位噪声特性被广泛应用于高品质压控振荡器(VCO)芯片的研制。研究了影响InP DHBT相位噪声特性的因素,并从器件结构和SiN钝化层两方面对器件进行了优化设计。详细介绍了附加相位噪声的测试原理和方法,并提出了一种改进的'正交鉴相'在片测量系统,测得所制作的InP DHBT的附加相位噪声在100 kHz偏移频率时达到-144 dBc/Hz。基于此InP DHBT工艺设计并实现了一款47 GHz差分VCO单片微波集成电路(MMIC),测试结果显示1.2 GHz调谐带宽内该VCO的典型单端输出功率为-3.8 dBm,单电源-5 V工作时的电流为23 mA,在100 kHz偏移频率时的相位噪声达到-87 dBc/Hz,验证了文中所研制的InP DHBT优异的相位噪声特性。
- 吴永辉魏洪涛刘军崔雍樊渝吴洪江
