洪求龙
- 作品数：6 被引量：12H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家部委资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于LTCC技术的SIP研究被引量：3
- 2008年
- SIP是继SOC后快速发展起来的,采用微组装和互连技术可以在单封装内实现子系统或系统功能。低温共烧陶瓷(LTCC)技术是实现SIP的重要途径。采用LTCC技术的SIP具备高集成度,方便集成无源元件无源功能器件,通过调整配料和多种不同介电常数基板混合共烧的方式提高电路设计灵活性等。对基于LTCC技术的SIP特点和优势进行了讨论,并根据需要结合实际工作给出了一个采用LTCC的X波段射频接收前端SIP的实例。
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- 关键词：低温共烧陶瓷系统级封装
- 一种高集成LTCC射频前端电路被引量：4
- 2008年
- 设计并制作了一种基于LTCC技术的系统级封装多通道射频前端电路。讨论了优化系统结构设计和LTCC材料选择,采用小信号S参数和谐波平衡法进行系统原理仿真设计,用三维电磁场法进行多层LTCC基板微波电路仿真分析。依托先进的LTCC制造工艺技术,该射频前端电路高密度集成了MMIC和CMOS芯片、贴片元件、多种形式的嵌入式滤波器以及控制线、微带线、带状线等元件,实现了微波信号放大、下变频和控制,具有体积小、重量轻、低噪声、低功耗、多通道的特点。该电路性能优良,增益62dB,噪声系数2.8dB,输入驻波比小于1.8,与采用混合集成电路技术的同类产品相比体积大幅度减小。
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- 关键词：低温共烧陶瓷射频前端系统级封装谐波平衡微波单片集成电路
- 功率半导体器件制作方法及功率半导体器件
- 本发明适用于半导体及微电子技术领域，提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件，包括：对基板双面金属化，其中基板正面形成三个金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；将所述基板的背面粘接在金属...
- 段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博
- 文献传递
- 高热导率纳米银胶在大功率器件上的应用被引量：5
- 2018年
- 对高热导率纳米银胶进行了性能分析,并与Au80Sn20焊料进行了对比;将其应用于一大功率器件,通过对粘结芯片进行剪切力测试,验证了纳米银胶具有可靠的连接强度;调整粘结样品的键合参数,并对键合丝进行拉力测试,结果在正常范围内;对器件进行热阻测试,与Au80Sn20焊料烧结对比,温度分布基本一致;进一步进行各项电性能测试,器件各参数正常。各项结果表明,此纳米银胶可替代Au80Sn20焊料烧结,应用于大功率器件上。
- 洪求龙付兴昌冀乃一柳溪溪
- 关键词：纳米银胶功率器件导电胶热阻焊料
- 功率半导体器件制作方法及功率半导体器件
- 本发明适用于半导体及微电子技术领域，提供了一种功率半导体器件制作方法及功率半导体器件，包括：对基板双面金属化，其中基板正面形成三个金属化区域，并在所述基板的正面三个金属化区域表面分别粘接热沉片；将所述基板的背面粘接在金属...
- 段雪洪求龙银军李明磊黄雒光张志国高永辉徐会博
- 文献传递
- V波段的微带线波导转换结构、制备方法及应用
- 本发明提供一种V波段的微带线波导转换结构、制备方法及应用，其中，结构包括顶层金属层、中间介质层和底层金属层；顶层金属层上靠近微带线波导转换结构的微带线连接处设有一传输线接口区，且传输线接口区上未设有金属层；底层金属层在远...
- 王淼洪求龙厉志强李静强黄玉红袁婧怡潘旭
