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王绍东

作品数:43 被引量:44H指数:4
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 28篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 21篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇封装
  • 12篇电路
  • 12篇芯片
  • 11篇微电子
  • 9篇电子封装
  • 9篇微电子封装
  • 7篇单片集成
  • 7篇单片集成电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇单片
  • 6篇电子封装技术
  • 6篇微电子封装技...
  • 6篇放大器
  • 6篇封装技术
  • 5篇双极型
  • 5篇双极型晶体管
  • 5篇微波单片
  • 5篇微波单片集成
  • 5篇微波单片集成...
  • 5篇晶体管

机构

  • 43篇中国电子科技...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国国防科技...

作者

  • 43篇王绍东
  • 16篇王志强
  • 14篇吴洪江
  • 8篇赵永志
  • 5篇蔡道民
  • 5篇默立冬
  • 5篇方家兴
  • 5篇汪江涛
  • 4篇高学邦
  • 4篇柳现发
  • 2篇廖斌
  • 2篇许春良
  • 2篇洪求龙
  • 1篇付兴昌
  • 1篇张务永
  • 1篇徐达
  • 1篇胡召宇
  • 1篇徐军
  • 1篇张慕义
  • 1篇戚伟

传媒

  • 11篇半导体技术
  • 1篇电子科技
  • 1篇无线电工程
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇第十二届全国...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 9篇2017
  • 6篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 1篇2002
43 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种新型三维微波多芯片组件结构
本实用新型公开了一种新型三维微波多芯片组件结构,涉及微波微电子封装领域。自下而上包括底层硅片、MMIC芯片、顶层硅片、ASIC芯片;底层硅片上腐蚀有芯片安装槽,并在表面电镀第一金属层,MMIC芯片通过导电胶层粘结在芯片安...
赵永志王绍东王志强
文献传递
4~20GHz超宽带低噪声放大器单片电路被引量:3
2013年
采用分布式放大器设计原理,基于GaAs PHEMT低噪声工艺技术,研制了一款超宽带低噪声放大器单片电路。该款放大器选用分布式拓扑结构,由五级电路构成,为了进一步提高分布式放大器的增益,在每一级又采用了两个场效应晶体管(FET)串联结构。放大器采用了自偏压单电源供电,因为每级有两个FET串联,自偏压电路更为复杂,通过多个电阻分压的方式确定了每个FET的工作点。测试结果表明,该放大器在频率4~20 GHz内,增益大于14 dB,噪声系数小于3.0 dB,增益平坦度小于±1.0 dB,输入驻波比小于1.5∶1,输出驻波比小于1.8∶1,1 dB压缩点输出功率大于10 dBm。放大器的工作电压为8 V,电流约为50 mA,芯片面积为2.0 mm×2.0 mm。
许春良王绍东柳现发高学邦
关键词:超宽带低噪声放大器行波微波单片集成电路
异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法
本发明公开了一种异质集成的硅基射频微系统结构及其制作方法,涉及半导体和微电子封装技术领域,包括硅基载体层、硅基外框层、硅基引线保护层、硅基盖板层、衰减器、射频芯片和滤波器;本发明针对射频组件中因为应用多颗不同工艺的不同衬...
刘秀博王绍东王志强吴洪江
文献传递
MMIC和RFIC的CAD被引量:10
2004年
微波单片集成电路和射频集成电路频率和集成度的提高使设计复杂化,对计算机辅助设计的依赖性更强,元器件行为的精确描述和仿真器的功能是设计精度的关键所在。本文对微波单片集成电路和射频集成电路设计的计算机辅助设计问题进行了论述,着重讨论了元器件模型和仿真器功能在微波射频集成电路设计中的问题和应用。
王绍东高学邦刘文杰吴洪江
关键词:射频集成电路RFIC微波单片集成电路MMIC仿真器CAD
抗电磁干扰的微波功率分配器
本实用新型公开了一种抗电磁干扰的微波功率分配器,涉及半导体和微电子封装技术领域,包括顶层硅基基板、底层硅基基板、电阻薄膜、顶金属层、中间金属层和底金属层;应用硅基MEMS加工工艺加工了一款抗电磁辐射的功率分配器。此功率分...
刘秀博王绍东王志强
文献传递
多通道硅基开关滤波器组及其制作方法
本发明公开了一种多通道硅基开关滤波器组及其制作方法,涉及半导体和微电子器件技术领域,包括硅基载体层、硅基引线保护层、硅基外框层、硅基盖板层和开关芯片;本发明利用硅基MEMS工艺制作开关滤波器组,将开关芯片预埋在硅基载体层...
刘秀博王绍东王志强
微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线
本申请适用于半导体技术领域,提供了一种微同轴结构、微同轴结构的制备方法及微型同轴线,其中微同轴结构包括:通过金属层键合的第一基片和第二基片;贯穿所述第一基片和所述第二基片的通孔阵列;位于所述第一基片的键合面一侧的第一空气...
赵永志李光福王绍东
文献传递
高集成小型化中频滤波组件设计与实现被引量:1
2022年
为满足雷达接收机中频滤波器组集成滤波器数量多、集成度高的需求,文中采用三维集成技术,设计了一种小型化LC滤波器电路,并对三维LC滤波器在组件中的应用和集成工艺进行分析和研究。三维LC滤波器采用两个基板,利用三维集成工艺和BGA技术实现两个基板的三维集成组装。将电容元件置于底层基板可实现高密度布局,将电感元件置于顶层基板与电容元件分离,通过焊球实现信号互通。结果表明,采用三维集成方案可使LC滤波器电路尺寸减小近50%,滤波器指标与平面滤波器电路性能一致。相比于传统中频滤波组件设计方法,该方案更有利于实现高集成度和小型化。
白锐徐达杨亮孙从科王绍东
关键词:LC滤波器球栅阵列小型化高集成
平面全向圆极化天线
本发明提供了一种平面全向圆极化天线,属于天线装备领域,包括基板、设于基板前侧的前金属层、围绕基板中心设于前金属层外周的多个前金属辐射结构、设于基板后侧的后金属层、围绕基板中心设于后金属层外周的多个后金属辐射结构、设于基板...
李晓林王绍东王志强
文献传递
基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法
本发明提供了一种基于硅通孔结构的硅基微系统气密封装结构及制备方法,包括顺次键合的第一层硅基载体层、第二层硅基外框层、第三层硅基引线保护层及密封键合于第三层硅基引线保护层之上的第四层硅基盖板层,第一层硅基载体层之上设置有钼...
刘秀博王绍东王志强吴洪江
文献传递
共5页<12345>
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