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文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片集成
  • 1篇单片集成电路
  • 1篇电路
  • 1篇正电
  • 1篇数控衰减器
  • 1篇数模
  • 1篇数模混合
  • 1篇衰减器
  • 1篇微波单片
  • 1篇微波单片集成
  • 1篇微波单片集成...
  • 1篇集成电路

机构

  • 1篇电子科技大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇赵瑞华
  • 1篇甄建宇
  • 1篇刘金
  • 1篇王清源
  • 1篇王凯

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2013
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
一种正电控制大衰减量的6bit单片数控衰减器被引量:5
2013年
分析了单片数控衰减器的衰减原理,设计了一款DC~2 GHz的大衰减量的6 bit数控衰减器。并通过数模混合设计,采用基于GaAs工艺的场效应管驱动器结构将正TTL电平转换为衰减器负的控制电平,成功实现了正电控制,对单片电路进行了仿真与优化,采用GaAs工艺技术完成了流片。测试结果表明,在DC~2 GHz频带内,衰减步进1 dB,最大衰减量63 dB,插入损耗小于1.7 dB,衰减精度小于±0.1 dB@1 dB~4 dB;小于±0.8 dB@8 dB~32 dB;小于±1.3 dB@48 dB~63 dB,两个端口在所有态下的驻波比小于1.2∶1。单片数控衰减器芯片尺寸为3.0 mm×2.0 mm,控制电压为0和5 V。
甄建宇王清源赵瑞华刘金王凯
关键词:数控衰减器微波单片集成电路数模混合
共1页<1>
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