王靳君
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术更多>>
- 硅三极管电子辐照的残余电压效应
- 2012年
- 研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的。
- 巫晓燕田野石瑞英龚敏温景超王靳君
- 关键词：电子辐照
- 中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析被引量：1
- 2011年
- 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。
- 王靳君田野石瑞英龚敏温景超巫晓燕
- 关键词：NPN晶体管负电容中子辐照电子辐照势垒电容
