巫晓燕
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学核科学技术更多>>
- 中子和电子辐照诱发硅NPN晶体管负电容现象的机理分析被引量：1
- 2011年
- 研究了硅NPN双极型晶体管(C2060)的中子和电子辐照效应。实验结果显示:经中子和电子辐照后,晶体管扩散电容出现退化,甚至出现负电容(NC)现象;电子辐照后晶体管势垒电容出现明显退化,而中子辐照后并无此现象。对中子和电子辐照后晶体管的退化机理进行了分析,认为:晶体管经中子和电子辐照后产生的缺陷团是产生NC现象的根本原因;中子和电子辐照后产生的缺陷团在晶体管内表现为复合中心,这些复合中心大大降低了少数载流子的数密度和寿命,从而使晶体管扩散电容出现严重退化,甚至出现NC现象;电子辐照产生的点缺陷使晶体管多子数密度降低,从而使势垒电容增大。
- 王靳君田野石瑞英龚敏温景超巫晓燕
- 关键词：NPN晶体管负电容中子辐照电子辐照势垒电容
- Mie散射实验
- 2015年
- LED光源发出的稳定的近似平行复色光经过多分散系微粒(水蒸气微粒)散射后形成Mie散射.分析了球形微粒散射光强的角度分布,获得了水蒸气液滴的散射色度谱,测量了水蒸气分散系的光学厚度.观察了平行光经过沸水凝结而成的水蒸气和加湿器产生的水蒸气的corona现象,并比较了彩虹和Mie散射的形成原理.
- 巫晓燕左浩毅
- 关键词：MIE散射
- 硅三极管电子辐照的残余电压效应
- 2012年
- 研究了双极型晶体管(BJT)高能电子(1.5MeV)辐照的总注量效应,电子辐照的总注量为5×1013～1.2×1016 cm-2。实验结果表明,三极管经电子辐照后,有残余电压产生,残余电压随电子总注量的增加而增大。认为是由于辐照后产生的缺陷能级导致的去载流子效应使得BC结自建电势差变化量大于BE结,以及缺陷能级使BC结导带差变化量大于BE结这两方面原因引起的。
- 巫晓燕田野石瑞英龚敏温景超王靳君
- 关键词：电子辐照
- 基于分型培养的单片机实验教学改革被引量：3
- 2019年
- 结合学生的能力素质、兴趣爱好和专业方向的差异性,简要分析当前单片机实验课程教学所面临的问题,提出基于分型培养模型的单片机实验教学改革方案。分别阐述了课程项目分型、教学法分型和成绩考核分型在具体实践中的应用。最终优化现有的单片机实验课程内容、教学方法和成绩考核体系。目的是进一步深化以人为本的教学理念,提高学生的综合实验素养。实践表明,新的实验课程教学更有利于增强学生学习的积极性、主动性和创新意识。
- 夏玉玺巫晓燕
- 关键词：单片机实验课程建设教学改革
- 束-等离子体实验系统研究被引量：1
- 2019年
- 建立了束-等离子体系统的物理模型,推导出电子束在均匀非磁化等离子体中的聚焦传输条件,根据聚焦传输理论确定一组工作参数,并运用Vsim等软件对该模型进行粒子模拟分析,分别得出此时电子束在等离子体通道中的聚焦传输轨迹、电磁场分布以及THz辐射情况,此时电子束几乎完全排开等离子体电子并形成离子通道。结果表明,理论分析与模拟相符合,初步论证了电子束密度可达10^(12)/cm^3,输出等离子体密度可达约10^(12)/cm^3,等离子体温度可达10 eV的束-等离子体实验系统的科学性和可行性,为首次开展新型综合性等离子体实验课程奠定了基础。
- 夏玉玺巫晓燕李伟
