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不同晶化处理方式对PZT薄膜性能的影响: 2005年; 采用改进的溶胶一凝胶（sol—gel）法在Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备PZT薄膜，研究不同的晶化处理方式对PZT薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能的影响。实验结果表明：快速晶化处理方式更有利于薄膜沿（110）方向的择优生长；并且相对于常规晶化处理方式，快速晶化处理方式制备的PZT薄膜晶粒均匀，排布有序，可有效的提高薄膜的表面质量。电学性能测试结果表明，这种表面形貌可以有效地降低漏电流。; 李敏惠春汪静; 关键词：PZT薄膜 XRD AFM 漏电流溶胶-凝胶

纳米尺度压电薄膜PZT的结构特征和性能被引量：1: 2007年; 采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)方法在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备锆钛酸铅(PZT)纳米晶薄膜,研究了不同的热处理方式对PZT薄膜的晶粒结构、尺寸及电学性能的影响。X-射线衍射(XRD)分析表明:传统的热处理方式更有利于得到具有一定择优取向性的PZT薄膜。原子力显微镜(AFM)显示:快速热处理方式使PZT薄膜的晶粒具有自形晶结构,晶粒的排布更为有序,从而改善了薄膜的致密性。阻抗分析仪的测试结果表明:经快速热处理的薄膜,漏电流大约比传统热处理处理的薄膜的漏电流降低了20倍左右。; 李敏惠春徐爱兰汪静孙建平; 关键词：PZT薄膜

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汪静