您的位置： 专家智库 > >

赵开梅

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇腔面
  • 1篇阈值电流
  • 1篇斜率效率
  • 1篇面发射
  • 1篇面发射激光器
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇发射激光器
  • 1篇垂直腔
  • 1篇垂直腔面
  • 1篇垂直腔面发射
  • 1篇垂直腔面发射...

机构

  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 1篇丁锋
  • 1篇王品红
  • 1篇田坤
  • 1篇赵开梅
  • 1篇张靖

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
一种850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器的设计被引量：1
2013年
采用PICS3D软件建立了850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种850nm氧化限制型VCSEL。在10μm氧化孔径下,与商用的850nm氧化限制型VCSEL相比,其阈值电流从1.8mA降至1.5mA,斜率效率从0.3W/A提升到0.65W/A。
丁锋张靖王品红田坤赵开梅
关键词：垂直腔面发射激光器阈值电流斜率效率
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0