高喜庆
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性被引量：1
- 2015年
- GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓帽层上生长一层10nm厚、具有更小禁带宽度的InGaAs薄层,基于这种新的外延结构,在欧姆制作工艺不变的情况下,制作的欧姆接触具有更低的欧姆接触电阻率和更好的一致性。
- 黄念宁韩克锋高喜庆邹鹏辉高建峰
- 关键词：接触电阻率一致性
- 栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT被引量：1
- 2009年
- 文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500mA/mm,器件的阈值电压为-0.8V,截止频率达到127GHz,最大振荡频率达到152GHz。
- 高喜庆高建峰康耀辉张政
- 关键词：高电子迁移率晶体管INALAS/INGAAS
- InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究
- 2010年
- 用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。
- 邹鹏辉韩春林高建峰康耀辉高喜庆陈辰
- 关键词：高电子迁移率晶体管
