康耀辉
- 作品数：8 被引量：8H指数：1
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- 100nm GaAsMHEMT器件研制
- 2012年
- 应用电子束直写技术成功制作了栅长100nm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件T形栅尺寸与工艺,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到460mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.23V时的最大非本征跨导gm为940mS/mm,截止频率ft达到220GHz,最大振荡频率fmax大于200GHz。
- 康耀辉徐筱乐高建峰陈辰
- 关键词：T形栅截止频率
- 156GHz 0.15μm GaAs Metamorphic HEMT器件研制
- 2010年
- 应用电子束直写技术成功制作了栅长0.15μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As GaAs MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件源漏间距,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到495mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.19V时的最大非本征跨导gm为1032mS/mm,截止频率ft达到156GHz,最大振荡频率fmax大于150GHz。
- 康耀辉高建峰黄念宁陈堂胜
- 关键词：T形栅截止频率
- InAlAs/InGaAs/InP HEMT欧姆接触研究被引量：6
- 2008年
- 应用Au/Ge/Ni系金属在InAlAs/InGaAs/InP HEMT上成功制作了良好的合金欧姆接触。采用WN和Ti双扩散阻挡层工艺优化欧姆接触,在样品上获得了最低9.01×10-8Ω.cm2的比接触电阻,对应的欧姆接触电阻为0.029Ω.mm。同时,在模拟后续工艺环境的20min250°C热处理后,器件的欧姆接触性能无显著变化,表明其具有一定的温度稳定性。
- 康耀辉林罡李拂晓
- 关键词：磷化铟欧姆接触温度稳定性
- 亚微米GaAs PHEMT器件的结构设计与优化
- 2007年
- 主要论述了采用POSES软件对亚微米GaAs PHEMT器件进行的结构设计与优化。在结构设计过程中,本文首先简要分析了PHEMT器件的工作原理;然后利用POSES软件数值求解了材料结构和器件性能之间的关系,并根据上述分析结果优化器件结构设计,完成流片实验。流片得到的0.25μm GaAs PHEMT器件的性能参数为:跨导gm=440mS/mm、截止频率fT=50GHz、最大振荡频率fmax>80GHz,显示出良好的DC和AC小信号特性。
- 李拂晓郑惟彬康耀辉黄庆安林罡
- 关键词：砷化镓二维电子气
- W波段单片低噪声放大器被引量：1
- 2014年
- 本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz频带内,输入输出回波损耗均大于5d B,噪声系数小于5d B,增益大于17d B,带内增益平坦度小于1.5d B,W波段全频带内增益大于12d B。芯片面积为2.6mm×1.6mm。
- 张健王磊王维波程伟康耀辉陆海燕李欧鹏谷国华王志刚徐锐敏
- 关键词：MMIC低噪声放大器GAASMHEMTW波段
- InP基RTD/HEMT集成的几个关键工艺研究
- 2010年
- 用MBE设备在半绝缘的InP衬底上依次生长高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料和共振遂穿二极管(RTD)外延材料,在此材料结构基础上研究和分析了RTD与HEMT器件单片集成工艺中的隔离工艺、欧姆接触工艺、HEMT栅挖槽工艺和空气桥工艺等几步关键工艺,给出了这些工艺的相关参数。利用上述工艺成功地制作了RTD和HEMT器件,并在室温下分别测试了RTD器件和HEMT器件的电学特性。测试表明:在室温下,RTD器件的峰电流密度与谷电流密度之比(PVCR)为3.66;HEMT器件的最大跨导约为370 mS/mm,在Vds=1.5 V时的饱和电流约为391 mA/mm。这将为RTD与HEMT的单片集成研究奠定工艺基础。
- 邹鹏辉韩春林高建峰康耀辉高喜庆陈辰
- 关键词：高电子迁移率晶体管
- 具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
- 2009年
- 应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到275mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.15V时的最大非本征跨导gm为650mS/mm,截止频率ft达到136GHz,最大振荡频率fmax大于120GHz。
- 康耀辉张政朱赤高剑锋
- 关键词：T形栅截止频率
- 栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT被引量：1
- 2009年
- 文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500mA/mm,器件的阈值电压为-0.8V,截止频率达到127GHz,最大振荡频率达到152GHz。
- 高喜庆高建峰康耀辉张政
- 关键词：高电子迁移率晶体管INALAS/INGAAS
