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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇软错误
  • 1篇Α粒子
  • 1篇I-V
  • 1篇V
  • 1篇I
  • 1篇RAMP

机构

  • 2篇中芯国际集成...

作者

  • 2篇何俊明
  • 1篇简维廷
  • 1篇刘云海
  • 1篇赵永
  • 1篇丁育林
  • 1篇王娜

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
一种异常V_(ramp)I-V曲线分析及其应用探讨被引量:1
2009年
讨论分析了Vramp测试方法,说明了I-V曲线的特性。就一个异常案例中测得的I-V曲线展开了分析,说明了曲线异常背后的原因,揭示了Vramp测试结果和等离子所致损伤之间的关联。结合其它可靠性测试项目的结果,成功地进行了氧化层性能快速评估,丰富了Vramp测试的应用。
简维廷何俊明张荣哲赵永
α粒子加速软失效率测试的稳定性研究被引量:1
2011年
半导体器件软错误的发生具有几率低、间隔时间长的特点。资源有限条件的下实现对器件软失效率的评估需要借助放射源加速的方法,即加速软失效率测试。作为改进设计和工艺以降低软失效率的前提,就测试方法稳定性进行了系统研究。通过对两种不同制程的静态随机存储器芯片(SRAM)进行α粒子加速软失效率测试,提出了确保α粒子加速测试稳定的方法。基于相同测试条件下多次测量结果变化和测试时间的关系,给出了合理的加速软失效测试的时间推荐值,保证了测试结果的有效性。
王娜何俊明刘云海丁育林丁佳妮
关键词:Α粒子软错误
共1页<1>
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