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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇功率管
  • 1篇增益
  • 1篇微波功率管
  • 1篇键合
  • 1篇高增益
  • 1篇功率放大
  • 1篇功率放大模块
  • 1篇VHF
  • 1篇
  • 1篇GAN
  • 1篇长脉宽

机构

  • 2篇南京电子器件...

作者

  • 2篇刘雪
  • 1篇严德圣
  • 1篇蒋幼泉
  • 1篇丁晓明
  • 1篇周德红
  • 1篇王建浩
  • 1篇钱伟
  • 1篇高群

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2014
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
硅微波功率管键合失效机理分析被引量:1
2014年
硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后镀金层与介质层无法完整粘合,从而造成微调金丝弧度时发生键合失效。通过加厚焊盘镀金层,避免了金丝对介质层的冲击,提高了硅功率管的键合质量及成品率。
钱伟严德圣丁晓明周德红刘雪高群蒋幼泉
关键词:键合
VHF 600 W GaN功率模块研制被引量:1
2021年
设计了一种基于GaN HEMT的功率放大模块。该模块采用高增益的GaAs单片、GaN小功率管和GaN大功率管三级级联形式。测试结果表明,模块在约220~270 MHz、工作电压46 V、工作脉宽3 ms、工作比30%的条件下,全带内600 W输出,附加效率大于75%,增益大于52 d B。
王建浩刘雪王琪戈硕唐厚鹭
关键词:VHF功率放大模块长脉宽高增益
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