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廖乃鏝

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：重庆光电技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇光刻
  • 1篇CCD
  • 1篇CCD成像

机构

  • 1篇重庆光电技术...

作者

  • 1篇龙飞
  • 1篇李仁豪
  • 1篇吴可
  • 1篇廖乃鏝
  • 1篇张故万

传媒

  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
浮胶引起的缺陷对CCD成像的影响分析
2013年
针对大面阵CCD成像黑缺陷多的特点,从机理和制作工艺上进行了分析研究。结果表明,CCD成像黑缺陷主要由光刻工艺缺陷引起。光刻LOCOS、地和沟阻工艺中产生的浮胶是CCD成像黑缺陷的主要来源。在制作多晶硅栅过程中,光刻浮胶可产生成像黑缺陷或导致信号电荷转移问题。最后,提出了减少光刻工艺产生浮胶的方法。
龙飞张故万吴可廖乃鏝李仁豪
关键词：CCD光刻
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共1页<1>
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