李帅
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 熔体温度对InP合成的影响
- 2016年
- 熔体温度的精准测量和合理控制是快速合成化学配比磷化铟(InP)的关键,并直接影响晶体质量。由于单晶炉内温度梯度较大并且熔体表面有一层三氧化二硼覆盖层,测量高温高压单晶炉内熔体温度精度不高,针对这一难题,通过分析热偶位置对其测量结果的影响,修正热偶测量温度与实际熔体温度的偏差,使测控精度由±30℃提高至±5℃。基于熔体温度测量准确度的提高,实验结果表明,在合成过程中随着磷注入量的增加,控制熔体温度从1 110℃逐步降低到接近InP熔点的1 070℃时,合成效果最佳,成功实现2 h可重复合成4.7 kg化学配比的InP。
- 杨建业王阳李帅李晓岚孙聂枫
- 关键词：磷化铟熔体温度原位合成
- 一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件
- 本发明提供一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件，该探测器包括：碳化硅衬底，以及在碳化硅衬底上、自下而上依次外延生长的缓冲层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和接触层；渐变层的掺杂浓度自下而上依次减小，其中，吸收层的掺杂浓度低...
- 郝文嘉房玉龙芦伟立李帅王健李建涛王波陈宏泰牛晨亮
- 一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法
- 本发明提供一种基于MMIC的延时线电路及其调试方法。该延时线电路包括：多个依次串联的延时模块；每个延时模块包括第一单刀双掷开关、参考支路、延时支路和第二单刀双掷开关；每个延时模块还包括多个沿延时支路分布的延时调整单元，其...
- 高显侯伦刘帅武世英郭丰强刘海峰苏辰飞梁家铖刘方罡王杰高晓冲李帅苏鹏生李艳玲胡占祥
- 一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片
- 本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化...
- 芦伟立房玉龙郝文嘉李帅王健高楠张志荣王波陈宏泰
- 碳化硅功率模块焊接工艺研究进展被引量：5
- 2020年
- 碳化硅(SiC)模块的封装技术是目前电力电子行业关注的热点,焊接材料和工艺是影响模块可靠性的关键环节。详细分析了当前国内外业界已使用或正在研究的焊接材料和工艺,包括应用于传统硅(Si)功率模块和SiC功率模块的常规无铅钎料、低温纳米银烧结、固液互扩散连接和纳米铜焊膏等。分析了各种工艺的焊接过程、焊层性能及存在的问题,明确了今后SiC功率模块高温封装焊接技术的发展方向,即低温纳米银烧结技术和固液互扩散技术将会是SiC功率模块焊接工艺的优选。
- 李帅白欣娇袁凤坡袁凤坡李晓波王静辉
- 关键词：功率模块
- 6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
- 2024年
- 随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅氧可靠性,因此对外延材料小坑缺陷的研究成为热点之一。采用单片水平式SiC外延设备,在6英寸(1英寸=2.54 cm)偏4°SiC衬底上生长4H-SiC外延层,系统研究了外延工艺对小坑缺陷的影响。采用表面缺陷测试仪对外延层小坑缺陷形貌和数量进行表征,利用表面缺陷测试仪的同步定位系统研究了小坑缺陷的起源与形成机理。研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25 cm^(-2)以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。
- 李帅房玉龙芦伟立王健郝文嘉李建涛陈宏泰王波牛晨亮
- 关键词：4H-SIC生长温度
