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王晖

作品数：1 被引量：1H指数：1
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合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇通孔
  • 1篇清洗技术
  • 1篇高深宽比
  • 1篇SAPS
  • 1篇TSV
  • 1篇硅

机构

  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇华进半导体封...

作者

  • 1篇于大全
  • 1篇王晖

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高深宽比硅通孔的SAPS兆声波清洗技术被引量：1
2014年
硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展。在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一。针对TSV刻蚀的工艺特点和TSV结构的特点,基于气体交替技术的硅刻蚀反应副产物种类以及清洗过程清洗液在TSV孔内的流体特性进行分析,探讨了一种基于现有清洗液,利用空间交变相位移(SAPS)兆声波技术进行TSV刻蚀后的清洗方法,并阐述了该清洗工艺的特点及前后工艺间的相互影响。研究结果表明,SAPS兆声波清洗能高效去除深孔内刻蚀残余产物,在TSV工艺集成中有较好的应用前景。
薛恺陈福平张晓燕张明川王晖于大全
关键词：清洗技术
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