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晶圆级植球印刷填充通孔的转接板结构及其制作方法: 本发明涉及晶圆级植球印刷填充通孔的转接板结构及其制作方法。本发明公开了一种转接板结构，包括：垂直于该转接板表面的通孔；覆盖于该通孔的侧壁的至少一层绝缘层和一层金属层；嵌入于该通孔中的一个金属球或者金属球缺；覆盖于该通孔垂...; 于大全王惠娟

一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力测试的实验装置: 一种用于“硅通孔”TSV-Cu结构工艺残余应力测试的实验装置，属于电子信息技术领域。实验装置主要由压头，实验试样，试样载台和铂金电加热片四部分组成。所述的试样载台上开有一个通孔，且直径要比试样中Cu孔的直径要大。试样载台...; 秦飞武伟安彤夏国峰刘程艳于大全万里兮; 文献传递

铜含量对Sn-Cu钎料与Cu、Ni基板钎焊界面IMC的影响被引量：26: 2006年; 研究了不同铜含量的Sn—xCu钎料（x=0，0．1％，0．3％，0．7％，0．9％，1．5％）与Cu板和Ni板在260、280和290℃钎焊后界面金属间化合物（IMC）的成分和形貌。研究结果表明：钎料与Cu板钎焊时，钎焊温度越高，界面处形成的Cu6Sn5 IMC厚度越大，而在同一钎焊温度下，随着钎料中铜含量的增加，IMC的厚度先减少后增加；与Ni板钎焊时，界面IMC的厚度随着铜含量的增加而增加，同时界面化合物的成分和形貌均发生了显著变化；当Cu含量小于0．3％（质量分数）时，界面处形成了连续的（CuxNi1-x）3Sn4层；而当Cu含量为0．7％时，界面处同时存在着短棒状（CuxNi1-x）3Sn4和大块状（CuxNi1-x）6Sn5IMC；当铜含量继续增大时（0．9％～1．5％），（CuxNi1-x）3Sn4IMC消失，只发现了棒状（CuxNi1-x）6Sn5IMC。讨论了钎料中Cu含量对与Cu、Ni基板钎焊接头界面化合物生长的影响，并进一步讨论了（CuxNi1-x）6Sn5IMC的形成和长大机理。; 何大鹏于大全王来C M L Wu; 关键词：钎焊

含稀土元素的无铅焊料: 本发明属于新材料技术领域,涉及到电子、宇航、通信、汽车等焊料使用领域。其特征是化学成分(%)为:(1)、(0.5～5)Ag;(0.05～2)RE;余量为Sn;(2)、(0.5～5)Ag;(0.05～2)RE;(1～10)...; 王来于大全黄明亮赵杰韩双起; 文献传递

一种在柔性基板上安装薄芯片的方法: 本发明公开了一种在柔性基板上安装薄芯片的方法。该方法包括：将厚芯片的待减薄面朝外，安装于柔性基板上；在柔性基板上放置具有挖空部的掩模板，该挖空部对应柔性基板上厚芯片的位置，用来暴露厚芯片的待减薄面，同时遮挡住柔性基板上除...; 于大全陶文君张霞张博; 文献传递

一种形成微电子芯片间互连的方法: 本发明公开了一种形成微电子芯片间互连的方法，包括：第一次化学机械抛光，使所述主金属结构表面低于介质层结构表面；在所述微电子芯片表面沉积辅助金属层，在所述主金属结构位置该辅助金属层与所述主金属结构形成金属叠层结构；第二次化...; 于大全宋崇申

一种复合钎料球及其制备方法: 本发明属于金属材料技术领域，涉及到电子封装钎焊材料技术，特别涉及到一种新的复合钎料球及其制备方法。其特征在于钎料球含有0.1－10重量％的Fe，通过外加磁场于雾化制粉设备之外来控制Fe在Sn基钎料中的分布；Sn基钎料是S...; 韩双起马海涛于大全赵杰王来; 文献传递

基于柔性基板的异构多芯片三维封装散热仿真与优化设计被引量：3: 2014年; 随着移动终端的广泛应用,射频多芯片系统封装结构的小型化、系统的集成化将导致功率密度的直线上升,同时,芯片各异性的特点将产生温度分布不均的现象,从而催生亟需解决的热管理问题。针对包含5款芯片的典型的射频前端系统,在POP封装基础上,提出柔性基板封装结构设计方案,并应用ANSYS ICEPAK三维数值分析法进行仿真计算,验证得到如下结果:1柔板同层的温差降低到POP结构的6%,异层的温差降低到POP结构的4%,避免了热点的出现;2柔板封装结温随下层屏蔽罩的厚度增大而减小,但尺寸的变化对其影响相对较小;3与铝基相比,铜屏蔽罩能够起到更好的散热作用。研究结果为射频异构多芯片三维封装优化设计提供了参考方案。; 武晓萌刘丰满马鹤庞诚何毅吴鹏张童龙虞国良李晨于大全; 关键词：多芯片柔性基板热设计三维仿真

一种用于硅通孔互连金属力学性能的测试方法: 本发明披露了一种用于硅通孔互连金属力学性能的测试方法，其属于微尺寸金属力学性能的测试方法，本测试方法包含：获得互连金属；在硅基片一上制作凹槽，将所述互连金属放置在所述凹槽里；以放置在所述凹槽里的互连金属和硅基片一为对象，...; 孙晓峰于大全; 文献传递

同轴硅通孔互连结构及其制造方法: 本发明涉及微电子封装技术领域，具体涉及一种同轴硅通孔互连结构。所述互连结构，包括：硅基片；硅通孔，贯穿硅基片；重掺杂层，位于硅通孔的侧壁；外导电连接构件，被重掺杂层围绕；至少一层绝缘层，被外导电连接构件围绕；至少一层内导...; 赫然王惠娟于大全

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于大全