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黄晓辉

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中芯国际集成电路制造有限公司更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 1篇存储器

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇中芯国际集成...

作者

  • 1篇金钢
  • 1篇吴雨欣
  • 1篇林殷茵
  • 1篇张佶
  • 1篇吴金刚
  • 1篇黄晓辉

传媒

  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于0.13m标准逻辑工艺的1Mb阻变存储器设计与实现被引量：4
2011年
采用了SMIC 0.13μm标准CMOS工艺设计并实现了一个1 Mb容量的基于1T1R结构的阻变存储器。描述了整个芯片的基本存储单元、存储器架构以及特殊的电路设计技术,包括优化的存储器架构、用于降低reset功耗的多电压字线驱动、使电阻分布更紧凑的斜坡脉冲写驱动以及可验证的读取参考系统。芯片实现了22F2的存储单元特征尺寸,小于30μA的reset电流和2个数量级的可擦写次数的提高。
金钢吴雨欣张佶黄晓辉吴金刚林殷茵
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