晋舜国
- 作品数：6 被引量：12H指数：3
- 供职机构：华北光电技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程一般工业技术电气工程更多>>
- 短/中波双色碲镉汞红外焦平面探测器研究被引量：4
- 2018年
- 报道了基于分子束外延碲镉汞短/中波双色材料、器件的最新研究进展。采用分子束外延方法制备出了高质量的短/中波双色碲镉汞材料,并优化了材料的质量,材料表面缺陷密度控制在500个/cm-2以内,通过扫描电子显微镜可以看出各层之间界面陡峭,使用傅里叶红外变换光谱仪(FTIR)、X射线衍射(XRD)等方法对材料进行了表征,基于此材料制备出了短/中波碲镉汞双色器件,器件测试性能良好。
- 王经纬晋舜国陈慧卿王亮周立庆
- 关键词：碲镉汞红外探测器分子束外延
- 电学性能不反常的本征GaAs基InSb异质外延研究
- 2020年
- 采用三步工艺进行了GaAs基InSb的异质外延生长并结合实验数据和文献资料研究了生长温度和速率、InSb层的厚度、低温缓冲层质量和双In源工艺对材料Hall电学性能等的影响。发现温度和生长速率对室温载流子迁移率和本征载流子浓度影响不太大;晶体XRD FWHM随膜厚的增加而逐渐地减小;低温缓冲层的界面质量和厚度对表面形貌具有一定的影响,低温缓冲层的界面厚度不应小于30 nm,ALE低温缓冲层的方法可以降低局部表面粗糙度;实验发现在优化的工艺参数基础上采用双In源生长工艺可以生长出电学性能不发生反常的理想本征InSb异质外延薄膜材料。获得2μm厚GaAs基InSb层在300 K和77 K的Hall迁移率分别为3.6546×104 cm^2 V^-1 s^-1和7.9453×104 cm^2 V^-1 s^-1,本征载流子迁移率和电子浓度随温度的变化符合理论公式的预期。
- 尚林涛韩岗刘铭申晨晋舜国李达
- 关键词：INSBGAASMBE本征
- InAs/ GaSb应变超晶格红外调制光谱研究被引量：2
- 2019年
- 在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared, FTIR)调制光致发光(Photoluminescence, PL)光谱仪进行测试时,基于FTIR的优势,并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点,通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能级和温度对InAs/GaSb应变超晶格材料的发射峰强度及位置的影响,并通过改变测试参数,总结出了针对不同材料的测试方法。这项研究结果对InAs/GaSb应变超晶格材料的外延生长及后续加工具有参考价值。
- 申晨折伟林李乾邢伟荣晋舜国刘铭
- 关键词：光致发光光谱截止波长
- 长波碲镉汞薄膜外延用碲锌镉衬底筛选方法研究被引量：3
- 2019年
- 主要报道了用于提高液相外延(Liquid Phase Epitaxy, LPE)长波碲镉汞薄膜质量的碲锌镉衬底筛选方法研究。通过对碲锌镉衬底的锌组分、红外透过率、沉淀/夹杂、位错密度、X射线形貌像和X射线衍射半峰宽等参数进行全面测试以及对外延后碲镉汞薄膜的X射线形貌像和X射线衍射半峰宽进行测试评估,发现目前X射线形貌像和锌组分是影响LPE长波碲镉汞薄膜用碲锌镉衬底的重要参数。结果表明,锌组分处于4.2%~4.8%之间、形貌像衍射强度高且均匀性好是长波碲镉汞薄膜外延用衬底的理想选择。
- 折伟林周立庆刘铭李乾申晨晋舜国李达师景霞
- 关键词：碲镉汞碲锌镉位错密度
- Hg_(1-x)Cd_xTe/CdTe/Si薄膜厚度测试方法的研究被引量：4
- 2012年
- 在分子束外延生长高质量的CdTe/Si复合衬底上,分别通过MBE和LPE技术成功地研制出Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外探测器所需的重要红外半导体材料。利用傅里叶变换红外光谱仪对Hg1-xCdxTe/CdTe/Si红外半导体材料的红外透射光谱进行测试分析且计算薄膜厚度,并配合扫描电子显微镜对其厚度计算分析进行校正,最终获得一种无破坏、无污染、快捷方便的多层膜厚度测试方法。
- 折伟林田璐晋舜国许秀娟沈宝玉王文燕
- 关键词：扫描电子显微镜分子束外延液相外延
- 工业X射线CT在红外焦平面探测器中的应用
- 2019年
- 介绍了工业X射线CT测试仪在红外焦平面探测器中的应用。利用CT可以非破坏性地对杜瓦组件和制冷机进行探伤分析,尤其是探测内部结构故障和缺陷,提高故障问题分析能力和解决效率,为组件返修提供充分依据。后续还能够根据需求筛选合格样品,提高了产品的用户体验,是后续生产工艺的重要保障。
- 李乾李达王丛申晨折伟林刘铭郭祥祥晋舜国
- 关键词：杜瓦制冷机
