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公衍刚

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇多晶
  • 1篇多晶硅
  • 1篇多晶硅栅
  • 1篇刻蚀
  • 1篇硅栅
  • 1篇35ΜM_C...
  • 1篇CMOS
  • 1篇LOSS
  • 1篇ME

机构

  • 1篇西安微电子技...

作者

  • 1篇刘存生
  • 1篇梁永杰
  • 1篇公衍刚
  • 1篇孙有民

传媒

  • 1篇微电子学与计...

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺研究
2013年
本文主要研究0.35μm CMOS多晶硅栅刻蚀工艺中"硅LOSS"及"T腰"问题的形成机理.在不改变产品工艺流程的前提下,对多晶硅栅刻蚀工艺进行优化,提出"两步ME法"优化了刻蚀形貌,改善了硅LOSS、T腰的问题.满足0.35μm CMOS多晶形貌及工艺要求,具有一定的理论指导和实际意义.
公衍刚梁永杰刘存生孙有民
关键词：CMOSME
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