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尹德国

作品数：1 被引量：8H指数：1
供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 1篇生长速率
  • 1篇强磁场
  • 1篇界面金属间化...
  • 1篇金属
  • 1篇金属间化合物
  • 1篇金属间化合物...
  • 1篇化合物层

机构

  • 1篇大连理工大学

作者

  • 1篇朱凤
  • 1篇王来
  • 1篇赵杰
  • 1篇尹德国

传媒

  • 1篇大连理工大学...

年份

  • 1篇2006
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
强磁场下Sn-3Ag-0.5Cu/Cu界面金属间化合物生长行为被引量：8
2006年
研究了3 T和8 T强磁场作用下Sn-3A g-0.5Cu/Cu焊接接头界面金属间化合物在170℃时效过程中的生长行为.结果表明:强磁场作用下界面金属间化合物层的厚度随着时效时间的延长而增加,且呈抛物线规律;随着磁场强度的增大,Sn-3A g-0.5Cu/Cu界面金属间化合物的生长速度加快.分析认为强磁场的存在加快了原子的运动,提高了原子的扩散系数,从而加快了界面金属间化合物层的生长速度.
赵杰朱凤尹德国王来
关键词：金属间化合物层强磁场生长速率
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共1页<1>
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