李丽娜
- 作品数：4 被引量：13H指数：2
- 供职机构：北京航空航天大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 用大气开放式MOCVD方法在玻璃基片上制备TiO2薄膜的研究
- 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下在玻璃基片上制备TiO2薄膜。当气化室温度为140℃,基片温度为350℃时,玻璃基片上生长的薄膜XRD谱...
- 李丽娜谷景华张跃路浩天
- 关键词：MOCVDTIO2取向性
- 大气开放式MOCVD法制备碳掺杂氧化钛可见光光催化剂被引量：2
- 2007年
- 设计研制了大气开放式金属有机化合物气相沉积(AP-MOCVD)装置,该装置操作简便,制备条件易控制,可制备不同碳掺杂氧化钛和纯氧化钛薄膜。以XRD、AES、XPS和UV-vis对碳掺杂氧化钛薄膜表征表明,以大气开放式MOCVD法在玻璃基片上制备的碳掺杂氧化钛薄膜,碳均匀掺杂到氧化钛晶格中,氧化钛晶格中碳占据了氧的位置并形成Ti—C键。其紫外可见吸收光谱(UV-vis)吸收曲线相对于纯氧化钛薄膜明显红移,并提高可见光的利用率。以AP-MOCVD法制备的碳掺杂氧化钛薄膜具有显著的可见光催化活性,在可见光下能使空气中的甲醛明显的光催化降解。
- 李丽娜谷景华张跃
- 关键词：光催化
- 用MOCVD法在玻璃和Si(100)基片上制备TiO_2薄膜被引量：11
- 2005年
- 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,在不同的实验条件下分别在S i(100)和玻璃基片上制备TiO2薄膜。当气化室温度为140℃,基片温度为350℃时,玻璃基片上生长的薄膜XRD谱中只出现了锐钛矿相(200)晶面的衍射峰,表明此时薄膜高度取向,在S i(100)基片上生长的TiO2薄膜也有取向性。通过SEM观察高度取向的TiO2薄膜表面出现四边形的微结构。
- 李丽娜谷景华张跃路浩天
- 关键词：MOCVDTIO2薄膜取向性
- 工艺条件的改变对用大气开放式MOCVD方法制备TiO_2薄膜的影响
- 2007年
- 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,改变反应物气化温度、沉积温度、基片与喷嘴的距离、载气流速4种工艺条件在玻璃基片上制备TiO2薄膜。实验结果表明沉积温度主要影响薄膜的物相结构,当沉积温度在300℃时沉积物是无定形的;沉积温度为350℃和400℃时,薄膜由单一的锐钛矿相构成;沉积温度在450℃时出现了少量金红石;继续升高沉积温度金红石的量逐渐增加。气化温度、基片与喷嘴的距离、载气流速这3个工艺条件主要影响薄膜的形貌和沉积难易程度。基片类型对薄膜沉积没有影响。
- 李丽娜谷景华张跃
- 关键词：MOCVDTIO2基片温度
